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公开(公告)号：CN101831694B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010190563.3
申请日：2008-10-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或其组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。
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公开(公告)号：CN101409233B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810168234.1
申请日：2008-10-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或其组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。
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公开(公告)号：CN101413112B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810170603.0
申请日：2008-10-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·H·伯罗斯 , 亚历山大·塔姆 , 罗纳德·史蒂文斯 , 肯里克·T·乔伊 , 詹姆斯·D·费尔斯克 , 雅各布·格雷森 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚 , 桑迪普·尼杰霍安 , 洛里·D·华盛顿 , 尼欧·谬
IPC: C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45514 , C23C16/45519 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T137/0318 , Y10T137/87153
Abstract: 本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101911253B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980101679.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/303 , C23C16/46 , C23C16/481 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67207
Abstract: 提供一种用来监视和控制用于组合工具的基板处理参数的方法和装置，所述组合工具利用化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积。在一个实施方式中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在处理室内在多个基板上沉积III族氮化物膜。闭环控制系统执行原位监视III族氮化物膜生长速率，并且根据需要来调整膜生长参数以保持目标生长速率。在另一实施方式中，闭环控制系统对于一个或多个膜沉积系统的多个处理室执行原位监视膜生长参数。
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公开(公告)号：CN102560633B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210028187.7
申请日：2008-10-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C30B25/02 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B29/40
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或它们的组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。
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公开(公告)号：CN101925980B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980103376.2
申请日：2009-01-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·H·伯罗斯 , 罗纳德·史蒂文斯 , 雅各布·格雷森 , 乔舒亚·J·波德斯塔 , 桑迪普·尼杰霍安 , 洛里·D·华盛顿 , 亚历山大·塔姆 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/481 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备，特定的是，涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括：腔室主体，界定工艺容积；喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；承载板，在第二平面而延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积；透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及多个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大型基板上方的均一温度，因而使生产率有相应的提高。
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公开(公告)号：CN101816061B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200780100933.6
申请日：2007-10-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/461
CPC classification number: H01L21/0262 , C23C16/301 , C23C16/4401 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254
Abstract: 本发明描述一种在金属有机化学气相沉积工艺中抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向反应腔室提供基板以及向所述反应腔室导入有机金属前驱物、微粒抑制化合物与至少第二前驱物。第二前驱物与有机金属前驱物反应，以在基板上形成成核层。另外，本发明描述一种在形成III-V氮化物层期间抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向反应腔室导入含III族金属的前驱物。III族金属前驱物可以包含卤素。也向至反应腔室导入卤化氢气体与含氮化合物。含氮气体与III族金属前驱物反应，以在基板上形成III-V氮化物层。
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公开(公告)号：CN102560633A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210028187.7
申请日：2008-10-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C30B25/02 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B29/40
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或它们的组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。
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