公开(公告)号：CN101925980B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980103376.2

申请日：2009-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  雅各布·格雷森 ,  乔舒亚·J·波德斯塔 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·D·华盛顿 ,  亚历山大·塔姆 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备，特定的是，涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括：腔室主体，界定工艺容积；喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；承载板，在第二平面而延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积；透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及多个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大型基板上方的均一温度，因而使生产率有相应的提高。

公开(公告)号：CN102498557A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080034696.X

申请日：2010-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布莱恩·H·布尔洛斯 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  雅各布·格雷森 ,  约书亚·J·帕德斯塔 ,  萨迪普·尼哈万 ,  劳瑞·D·华盛顿 ,  亚历山大·泰姆 ,  苏玫德·阿凯亚

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的实施例一般地涉及在衬底上进行化学气相沉积(CVD)的方法和设备，且具体涉及在金属有机化学气相沉积中所使用的处理腔室和部件。该设备包括界定处理容积的腔室主体。在第一平面中的喷洒头界定处理容积的顶部部分。承载板在第二平面中沿着处理容积延伸，并在喷洒头与基座板之间形成上方处理容积。在第三平面中的透明材料界定处理容积的底部部分，并在承载板与透明材料之间形成下方处理容积。多个灯在透明材料的下方形成一个或多个区域。该设备提供均匀的前驱物流和混合，并同时维持沿着更大衬底的均匀温度，因而造成生产率的相应增加。

公开(公告)号：CN101413112B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200810170603.0

申请日：2008-10-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  亚历山大·塔姆 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  肯里克·T·乔伊 ,  詹姆斯·D·费尔斯克 ,  雅各布·格雷森 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·D·华盛顿 ,  尼欧·谬

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/87153

Abstract: 本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。

公开(公告)号：CN101911253B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200980101679.0

申请日：2009-01-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏杰 ,  洛里·D·华盛顿 ,  戴维·布尔 ,  雅各布·格雷森 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  罗纳德·史蒂文斯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/303 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207

Abstract: 提供一种用来监视和控制用于组合工具的基板处理参数的方法和装置，所述组合工具利用化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积。在一个实施方式中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在处理室内在多个基板上沉积III族氮化物膜。闭环控制系统执行原位监视III族氮化物膜生长速率，并且根据需要来调整膜生长参数以保持目标生长速率。在另一实施方式中，闭环控制系统对于一个或多个膜沉积系统的多个处理室执行原位监视膜生长参数。