公开(公告)号：CN102934204A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180028838.6

申请日：2011-06-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 仲华 ,  董希子 ,  基奥温·貌 ,  塙広二 ,  姜圣元 ,  戴维·H·夸 ,  唐纳德·J·K·奥尔加多 ,  戴维·布尔 ,  许伟勇 ,  亚历山大·塔姆 ,  常安中 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45591 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67115 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明的实施例一般涉及利用清洁板来清洁腔室部件的设备与方法。清洁板用以在清洁工艺期间定位在基板支架上，且清洁板包含多个紊流诱导结构。当清洁板在清洁工艺期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体的紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效的清洁。所述方法包含定位所述清洁板为与喷头相邻，以及将清洁气体引入至喷头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷头表面的材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔室。

公开(公告)号：CN102934204B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180028838.6

申请日：2011-06-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 仲华 ,  董希子 ,  基奥温·貌 ,  塙広二 ,  姜圣元 ,  戴维·H·夸 ,  唐纳德·J·K·奥尔加多 ,  戴维·布尔 ,  许伟勇 ,  亚历山大·塔姆 ,  常安中 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45591 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67115 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明的实施例一般涉及利用清洁板来清洁腔室部件的设备与方法。清洁板用以在清洁工艺期间定位在基板支架上，且清洁板包含多个紊流诱导结构。当清洁板在清洁工艺期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体的紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效的清洁。所述方法包含定位所述清洁板为与喷头相邻，以及将清洁气体引入至喷头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷头表面的材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔室。

公开(公告)号：CN101925980B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980103376.2

申请日：2009-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  雅各布·格雷森 ,  乔舒亚·J·波德斯塔 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·D·华盛顿 ,  亚历山大·塔姆 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备，特定的是，涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括：腔室主体，界定工艺容积；喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；承载板，在第二平面而延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积；透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及多个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大型基板上方的均一温度，因而使生产率有相应的提高。

公开(公告)号：CN101413112B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200810170603.0

申请日：2008-10-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩·H·伯罗斯 ,  亚历山大·塔姆 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  肯里克·T·乔伊 ,  詹姆斯·D·费尔斯克 ,  雅各布·格雷森 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·D·华盛顿 ,  尼欧·谬

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/87153

Abstract: 本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。