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公开(公告)号：CN102792425B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180013229.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN106057649A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610565609.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN106024587A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557179.X
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/115
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102792426B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180013249.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN102792426A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013249.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN106057649B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610565609.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN106024587B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201610557179.X
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L21/3065 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN102792425A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013229.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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