公开(公告)号：CN107421642A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710285969.1

申请日：2012-11-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘恒 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: G01J5/00 ,  G01J5/08

Abstract: 本发明的实施例大致上涉及用以测量及监控基板的温度的设备及方法，所述基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及发射率计，所述光源用以照射基板，所述基板上具有3D特征结构，所述聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，所述发射率计用以检测聚焦的所述反射光的发射率。设备亦包含光束分光器及成像装置。成像装置提供反射光的衍射图案的放大图像。方法包含以光照射基板，所述基板上具有3D特征结构，且以聚焦透镜聚焦反射光。然后聚焦光导向传感器且测量基板的发射率。反射光亦可入射成像装置，以产生反射光的衍射图案的放大图像。

公开(公告)号：CN102782816B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180011913.8

申请日：2011-02-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  横田义孝 ,  约翰内斯·S·斯温伯格 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02247 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺，将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子，可将含氮自由基导向基板，或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程等离子体产生器可耦接至处理腔室，其所述远程等离子体产生器选择性地包括一个或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器，或者可产生原位等离子体并且一个或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内并位于等离子体产生区与基板支撑件之间。

公开(公告)号：CN103890925B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201280051151.9

申请日：2012-11-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘恒 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明的实施例大致上涉及用以测量及监控基板的温度的设备及方法，所述基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及发射率计，所述光源用以照射基板，所述基板上具有3D特征结构，所述聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，所述发射率计用以检测聚焦的所述反射光的发射率。设备亦包含光束分光器及成像装置。成像装置提供反射光的衍射图案的放大图像。方法包含以光照射基板，所述基板上具有3D特征结构，且以聚焦透镜聚焦反射光。然后聚焦光导向传感器且测量基板的发射率。反射光亦可入射成像装置，以产生反射光的衍射图案的放大图像。

公开(公告)号：CN103348776A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180067134.X

申请日：2011-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马修·斯科特·罗杰斯 ,  华仲强 ,  克里斯托弗·S·奥尔森

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/513 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/505 ,  C23C16/517 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明的实施例提供了一种方法和设备，通过在给定压力下控制等离子体中离子与自由基的比例而对基板进行等离子体处理，以于基板上和置于其上的器件上形成薄膜。可维持给定压力以利用一等离子体源促进离子生成，并可用第二等离子体源来提供其他自由基。在一实施例中，在处理区域中生成低压等离子体，并于单独区域中生成高压等离子体，所述处理区域具有位于其中的基板。来自高压等离子体的自由基被注入到具有低压等离子体的处理区域中，因而在给定操作压力下改变自由基对离子的自然分布。所得到的处理与设备能调适离子与自由基的比例，以更好地控制在高纵横比特征结构上的薄膜形成，并因而提升角区磨圆、侧壁对底部沟槽成长的共形性，及选择性成长。

公开(公告)号：CN103890925A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051151.9

申请日：2012-11-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘恒 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明的实施例大致上涉及用以测量及监控基板的温度的设备及方法，所述基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及发射率计，所述光源用以照射基板，所述基板上具有3D特征结构，所述聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，所述发射率计用以检测聚焦的所述反射光的发射率。设备亦包含光束分光器及成像装置。成像装置提供反射光的衍射图案的放大图像。方法包含以光照射基板，所述基板上具有3D特征结构，且以聚焦透镜聚焦反射光。然后聚焦光导向传感器且测量基板的发射率。反射光亦可入射成像装置，以产生反射光的衍射图案的放大图像。

公开(公告)号：CN103329259A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280006199.8

申请日：2012-01-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马修·斯科特·罗杰斯

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/28273

Abstract: 本发明公开一种形成半导体器件的方法。层间介电质(inter-poly dielectric;IPD)层叠的氮层是使用硅烷与氮等离子体沉积而产生氮化物层，所述氮化物层在所述层整个厚度上皆受到等离子体处理。除了氮化所述层叠的底部氮化物层之外，也氮化中间的氮化物层。在氮等离子体中由硅烷沉积硅可以通过使用高密度等离子体、ALD或远程等离子体工艺完成。在沉积期间可使用升高的温度以减少沉积层中残余的氢。

公开(公告)号：CN107492481B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201710561519.0

申请日：2013-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘恒 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  阿古斯·S·查德拉 ,  克里斯托弗·S·奥尔森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源；与氢源连接的热源；和与第二入口连接件和氧源连接的远程等离子体源。一种用于对非金属表面进行选择性氧化的方法，所述方法可包括：在小于800℃的温度下的处理腔室中定位基板；使氢流入处理腔室中；产生含氧远程等离子体；在处理腔室中将远程等离子体与氢气混合以产生活性处理气体；和使基板暴露于活性气体。

公开(公告)号：CN104541362A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380040767.0

申请日：2013-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘恒 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  阿古斯·S·查德拉 ,  克里斯托弗·S·奥尔森

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252

Abstract: 本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源；与氢源连接的热源；和与第二入口连接件和氧源连接的远程等离子体源。一种用于对非金属表面进行选择性氧化的方法，所述方法可包括：在小于800℃的温度下的处理腔室中定位基板；使氢流入处理腔室中；产生含氧远程等离子体；在处理腔室中将远程等离子体与氢气混合以产生活性处理气体；和使基板暴露于活性气体。

公开(公告)号：CN102782816A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011913.8

申请日：2011-02-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  横田义孝 ,  约翰内斯·S·斯温伯格 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02247 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺，将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子，可将含氮自由基导向基板，或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程等离子体产生器可耦接至处理腔室，其所述远程等离子体产生器选择性地包括一个或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器，或者可产生原位等离子体并且一个或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内并位于等离子体产生区与基板支撑件之间。

公开(公告)号：CN107492481A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710561519.0

申请日：2013-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘恒 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  阿古斯·S·查德拉 ,  克里斯托弗·S·奥尔森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

Abstract: 本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源；与氢源连接的热源；和与第二入口连接件和氧源连接的远程等离子体源。一种用于对非金属表面进行选择性氧化的方法，所述方法可包括：在小于800℃的温度下的处理腔室中定位基板；使氢流入处理腔室中；产生含氧远程等离子体；在处理腔室中将远程等离子体与氢气混合以产生活性处理气体；和使基板暴露于活性气体。