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公开(公告)号：CN112391612B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010788135.4
申请日：2020-08-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN112391607A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010789975.2
申请日：2020-08-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/513
摘要： 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN112391612A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010788135.4
申请日：2020-08-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN111719137A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010170282.5
申请日：2020-03-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种成膜装置的清洗方法。该成膜装置的清洗方法能够高效地去除沉积于处理容器的内部的氮化硅膜，并且能够抑制由石英形成的构件的损坏。所述成膜装置的清洗方法包括利用等离子体化后的清洗用气体对沉积氮化硅膜的处理容器的内部进行清洗的工序，所述清洗用气体包含含氟气体和氧气。
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公开(公告)号：CN112391607B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010789975.2
申请日：2020-08-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/513
摘要： 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN108505020B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201810165871.7
申请日：2018-02-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
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公开(公告)号：CN116913759A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310373974.3
申请日：2023-04-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/31 , C23C16/34 , C23C16/455
摘要： 本公开提供一种成膜方法，能够提高成膜的硅氮化膜的膜质。成膜方法是在基板形成硅氮化膜的方法，所述成膜方法包括以下工序：工序(a)，向收容有所述基板的处理容器内供给含硅气体；以及工序(b)，在所述工序(a)后，向收容有所述基板的所述处理容器内供给含氮气体。在成膜方法中，使所述工序(b)中的所述处理容器的内压比所述工序(a)中的所述处理容器的内压大。
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公开(公告)号：CN111719137B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010170282.5
申请日：2020-03-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种成膜装置的清洗方法。该成膜装置的清洗方法能够高效地去除沉积于处理容器的内部的氮化硅膜，并且能够抑制由石英形成的构件的损坏。所述成膜装置的清洗方法包括利用等离子体化后的清洗用气体对沉积氮化硅膜的处理容器的内部进行清洗的工序，所述清洗用气体包含含氟气体和氧气。
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公开(公告)号：CN110364433A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910231945.7
申请日：2019-03-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要： 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
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公开(公告)号：CN108505020A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810165871.7
申请日：2018-02-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/6835 , C23C16/4554 , C23C16/45574 , H01L21/027 , H01L21/67017
摘要： 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
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