公开(公告)号：CN104067375A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380005955.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  安田健太 ,  石田俊介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻，连续交替地多次反复实施以下两个工序：作为所述蚀刻气体，使用由O2气体、CF4气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和作为所述蚀刻气体，使用由O2和CF4气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，并且对下部电极施加第1频率的第1频率电力和比第1频率低的第2频率的第2高频电力，且脉冲状地施加第1高频电力。

公开(公告)号：CN104067375B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201380005955.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  安田健太 ,  石田俊介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻，连续交替地多次反复实施以下两个工序：作为所述蚀刻气体，使用由O2气体、CF4气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和作为所述蚀刻气体，使用由O2和CF4气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，并且对下部电极施加第1频率的第1频率电力和比第1频率低的第2频率的第2高频电力，且脉冲状地施加第1高频电力。