公开(公告)号：CN104067375A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380005955.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  安田健太 ,  石田俊介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻，连续交替地多次反复实施以下两个工序：作为所述蚀刻气体，使用由O2气体、CF4气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和作为所述蚀刻气体，使用由O2和CF4气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，并且对下部电极施加第1频率的第1频率电力和比第1频率低的第2频率的第2高频电力，且脉冲状地施加第1高频电力。

公开(公告)号：CN102728580A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210086786.4

申请日：2012-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  井内健介 ,  清水昭贵 ,  安田健太 ,  吉野裕 ,  相田敏广 ,  妹尾武彦

IPC: B08B5/02 ,  B08B13/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板的有效区域的负面影响的状态下，良好地清洗基板的周边部的不要部位的技术。将在蚀刻工序中暴露而导致表面侧斜面部生成有针状突起群T，并且在背面侧的斜面部附着有复合化合物P的晶圆W放置于真空室内的旋转台。在真空室内，在晶圆W的上方侧以及下方侧设置有气体团簇喷嘴，从这些喷嘴向晶圆W的表面侧以及背面侧的斜面部照射与清洗处理对应的清洗气体的团簇C，并利用基于气体团簇C的碰撞的物理作用、和气体与除去对象部位的化学作用，除去针状突起群T以及复合化合物P。并且，通过将清扫气体向气体团簇C的照射位置排出，以防止由于清洗而产生的飞散物向晶圆W的再附着。

公开(公告)号：CN106104768B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201580012852.5

申请日：2015-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 安田健太 ,  久保田徹 ,  近藤崇 ,  石田胜广

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。

公开(公告)号：CN106104768A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580012852.5

申请日：2015-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 安田健太 ,  久保田徹 ,  近藤崇 ,  石田胜广

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。

公开(公告)号：CN104067375B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201380005955.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  安田健太 ,  石田俊介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻，连续交替地多次反复实施以下两个工序：作为所述蚀刻气体，使用由O2气体、CF4气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和作为所述蚀刻气体，使用由O2和CF4气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，并且对下部电极施加第1频率的第1频率电力和比第1频率低的第2频率的第2高频电力，且脉冲状地施加第1高频电力。