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公开(公告)号：CN102770942A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010024.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置，能够避开微观粗糙度、水印、基板材料损失、器件结构的破坏这些湿式清洗具有的技术课题，并且与极低温喷雾照射方法相比较，能够从基板除去更加多种多样的污染物。在清洗附着有被清洗物的晶片W的基板清洗装置中，包括：将清洗剂分子集合多个而成的团簇喷射到晶片W的团簇喷射装置；吸引通过喷射上述清洗剂分子的团簇而被除去的被清洗物的吸引装置；和使晶片W以及上述团簇喷射装置沿着附着有被清洗物的晶片W的面相对移动的装置。
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公开(公告)号：CN102770942B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180010024.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置，能够避开微观粗糙度、水印、基板材料损失、器件结构的破坏这些湿式清洗具有的技术课题，并且与极低温喷雾照射方法相比较，能够从基板除去更加多种多样的污染物。在清洗附着有被清洗物的晶片W的基板清洗装置中，包括：将清洗剂分子集合多个而成的团簇喷射到晶片W的团簇喷射装置；吸引通过喷射上述清洗剂分子的团簇而被除去的被清洗物的吸引装置；和使晶片W以及上述团簇喷射装置沿着附着有被清洗物的晶片W的面相对移动的装置。
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公开(公告)号：CN102906858A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180013426.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/42
CPC classification number: G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 提供一种抗蚀剂除去装置，其不氧化抗蚀剂以外的基板材料，与使用溶剂的现有的抗蚀剂除去方法相比能够更有效地除去抗蚀剂。从形成有抗蚀剂的晶片（W）除去抗蚀剂的抗蚀剂除去装置中，具有对晶片（W）喷射多个有机类溶剂分子集合而成的簇的簇喷射单元（3）。
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公开(公告)号：CN102728580A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086786.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67051 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板的有效区域的负面影响的状态下，良好地清洗基板的周边部的不要部位的技术。将在蚀刻工序中暴露而导致表面侧斜面部生成有针状突起群T，并且在背面侧的斜面部附着有复合化合物P的晶圆W放置于真空室内的旋转台。在真空室内，在晶圆W的上方侧以及下方侧设置有气体团簇喷嘴，从这些喷嘴向晶圆W的表面侧以及背面侧的斜面部照射与清洗处理对应的清洗气体的团簇C，并利用基于气体团簇C的碰撞的物理作用、和气体与除去对象部位的化学作用，除去针状突起群T以及复合化合物P。并且，通过将清扫气体向气体团簇C的照射位置排出，以防止由于清洗而产生的飞散物向晶圆W的再附着。
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公开(公告)号：CN110462794B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110462794A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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公开(公告)号：CN102437001A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110287175.1
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01L21/306 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/568 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。
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公开(公告)号：CN114616650A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080072884.5
申请日：2020-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的课题在于，交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地缩短处理工序。本发明为一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将前述硅锗层的露出面的表层选择性地改性，形成氧化膜。
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公开(公告)号：CN103650117B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280033416.2
申请日：2012-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/02046 , H01L21/02068 , H01L21/3086 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/67115
Abstract: 在抑制在被处理体的表面上形成的图案的塌陷或被处理体的表面的膜粗糙化等对被处理体造成的损伤的同时易于去除附着于被处理体的表面的微粒等附着物。作为前处理，向晶圆（W）供给氟化氢的蒸气而使晶圆（W）的表面的自然氧化膜（11）溶解，从而使附着于上述自然氧化膜（11）的表面的附着物（10）成为自表面浮起的状态。之后，自压力比晶圆（W）所处的气氛的压力高的区域供给与基底膜（12）之间不具有反应性的二氧化碳气体，该气体通过绝热膨胀而被冷却到冷凝温度以下而产生气体团簇。然后，通过将该气体团簇以非离子化的状态向晶圆（W）照射，去除附着物（10）。
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公开(公告)号：CN102347231A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110212805.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。
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