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公开(公告)号：CN114616650A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080072884.5
申请日：2020-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的课题在于，交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地缩短处理工序。本发明为一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将前述硅锗层的露出面的表层选择性地改性，形成氧化膜。
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公开(公告)号：CN103650117B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280033416.2
申请日：2012-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/02046 , H01L21/02068 , H01L21/3086 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67069 , H01L21/67115
Abstract: 在抑制在被处理体的表面上形成的图案的塌陷或被处理体的表面的膜粗糙化等对被处理体造成的损伤的同时易于去除附着于被处理体的表面的微粒等附着物。作为前处理，向晶圆（W）供给氟化氢的蒸气而使晶圆（W）的表面的自然氧化膜（11）溶解，从而使附着于上述自然氧化膜（11）的表面的附着物（10）成为自表面浮起的状态。之后，自压力比晶圆（W）所处的气氛的压力高的区域供给与基底膜（12）之间不具有反应性的二氧化碳气体，该气体通过绝热膨胀而被冷却到冷凝温度以下而产生气体团簇。然后，通过将该气体团簇以非离子化的状态向晶圆（W）照射，去除附着物（10）。
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公开(公告)号：CN102347231A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110212805.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN101321572B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200780000518.3
申请日：2007-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D46/521 , B01D46/0023
Abstract: 本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN101333666A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810094770.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NE3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下执行的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113169062B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980077095.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
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公开(公告)号：CN108292598B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201680069784.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。
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公开(公告)号：CN104428875B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380035374.0
申请日：2013-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , B08B7/005 , H01J37/32449 , H01J37/32743 , H01L21/02046
Abstract: 本发明公开了向被保持为真空的处理容器簇、将生成的气体团簇向被处理基板(S)照射的气体团簇照射机构(10)。气体团簇照射机构(10)包括：具有多个气体喷射喷嘴(17)的喷嘴单元(11)；向喷嘴单元(11)供给气体的气体供给部(12)。以这样的方式设定气体喷射喷嘴(17)的根数：自气体喷射喷嘴(17)以需要的流量供给气体时处理容器(1)内所到达的压力成为不破坏气体团簇的程度的压力。而且，以这样的方式配置气体喷射喷嘴(17)中的相邻的气体喷射喷嘴：自该相邻的气体喷射喷嘴喷射出的气体中的无助于气体团簇的形成的残留气体的扩散范围互不重叠。(1)内喷射气体并利用绝热膨胀来生成气体团
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公开(公告)号：CN102099900A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127593.5
申请日：2009-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种清洗方法，其根据清洗液将表面形成有图案的基板清洗的清洗，在去除清洗液或干燥时，能够抑制图案凸部的倒塌并将该基板清洗。清洗方法包括：将基板装载到装载台的工序、加热基板的工序和向所述基板的表面供给清洗液的工序。在供给清洗液的工序中，发生莱顿弗罗斯特现象，在向基板供给的清洗液的液滴和基板之间存在所述清洗液的蒸汽，在加热基板的工序中基板被加热。
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公开(公告)号：CN101321572A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200780000518.3
申请日：2007-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D46/521 , B01D46/0023
Abstract: 本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。
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