公开(公告)号：CN110678268A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035321.1

申请日：2018-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威

IPC: B04C5/04 ,  B01D47/00 ,  B04C11/00 ,  G01N1/02

Abstract: 本发明涉及旋风式捕集器，其能够可靠地捕集吸入气体中的粒子，并且防止雾汽的放出。旋风式捕集器(12)具备容器(21)、在容器(21)内形成液膜(40)的液膜形成部(23)、设置于盖部(32)的吸气孔(33)、以及排气管(24b)。吸气孔(33)相对于与容器(21)的轴线(21A)正交的正交面(21B)朝向下方延伸，吸气孔(33)的开口部(33a)在液膜(40)以外的区域开口。来自吸气孔(33)的吸入气体朝向液膜(40)喷出。

公开(公告)号：CN101471242B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810189121.X

申请日：2008-12-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法和半导体制造装置，利用等离子体蚀刻在基板上的膜上形成平行的线状的图案，并且能够实现上述图案的细微化。以在第一层上形成的原始图案作为基点，在第二层上形成的掩模图案上形成薄膜，并利用等离子体进行各向异性蚀刻，在以夹着形成于第一层的膜上的掩模图案的掩模部分的宽度方向中央部的位置对应的区域相对的方式形成的两个掩模部分之间，使在这些掩模部分的侧壁上末端扩宽的堆积部分残留下来，并且使第三层的膜的表面从这些堆积部分之间露出，并且使在上述两个掩模图案以外的互相邻接的掩模部分之间连续的堆积部分残留下来之后，除去上述掩模。然后，以上述堆积部分作为掩模利用等离子体对上述下层的膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101010448A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200680000710.8

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  土桥和也 ,  林辉幸

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45561 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种在半导体处理装置中使用的构成部件(10)，其包括：规定构成部件的形状的基材(10a)和覆盖基材的规定表面的保护膜(10c)。保护膜(10c)由选自铝、硅、铪、锆和钇的第一元素的氧化物的无定形体构成。保护膜(10c)具有小于1％的孔隙率和1nm～10μm的厚度。

公开(公告)号：CN102576670A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047228.6

申请日：2010-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威

IPC: H01L21/304 ,  F26B5/00

CPC classification number: H01L21/67034 ,  F26B5/00 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种基板干燥装置以及基板干燥方法，与马兰哥尼干燥相比，能够更有效地防止液滴残留在基板上，从而抑制水印的产生。对用具有反磁性的液体清洗过的基板进行干燥的基板干燥装置，具备：用于借助磁力而使附着于基板的液体移动的磁铁(4)、以及使磁铁(4)沿着基板向该基板的边缘侧移动的磁铁输送单元(5)。另外，在对用具有反磁性的液体清洗过的基板进行干燥时，使用于借助磁力而使附着于基板的液体移动的磁铁(4)接近基板，并使磁铁(4)沿着上述基板向该基板的边缘侧移动。

公开(公告)号：CN101321572B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200780000518.3

申请日：2007-04-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  林辉幸 ,  田村明威

IPC: B01D46/52 ,  H01L21/02

CPC classification number: B01D46/521 ,  B01D46/0023

Abstract: 本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。

公开(公告)号：CN101471242A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810189121.X

申请日：2008-12-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法和半导体制造装置，利用等离子体蚀刻在基板上的膜上形成平行的线状的图案，并且能够实现上述图案的细微化。以在第一层上形成的原始图案作为基点，在第二层上形成的掩模图案上形成薄膜，并利用等离子体进行各向异性蚀刻，在以夹着形成于第一层的膜上的掩模图案的掩模部分的宽度方向中央部的位置对应的区域相对的方式形成的两个掩模部分之间，使在这些掩模部分的侧壁上末端扩宽的堆积部分残留下来，并且使第三层的膜的表面从这些堆积部分之间露出，并且使在上述两个掩模图案以外的互相邻接的掩模部分之间连续的堆积部分残留下来之后，除去上述掩模。然后，以上述堆积部分作为掩模利用等离子体对上述下层的膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN102224275B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201080003266.1

申请日：2010-04-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野裕司 ,  江面知彦 ,  林辉幸 ,  田村明威 ,  齐藤美佐子

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体，在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部，在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间，配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。

公开(公告)号：CN103026240A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036215.3

申请日：2011-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威

IPC: G01N35/08 ,  G01N37/00

CPC classification number: G01N1/4077 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/502784 ,  B01L3/502792 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2400/043 ,  B03C1/288 ,  B03C5/026 ,  B03C2201/18 ,  F17D1/20 ,  G01N33/491 ,  G01N2035/00158 ,  Y10T137/206

Abstract: 以简易的方法使液滴沿着移动面形成部件的表面移动。在形成液滴的移动面的、包含非磁体的移动面形成部件（1）的两面分别设置有形成磁场梯度的磁场形成部件（4A、4B），该磁场梯度为磁场随着从上述移动面形成部件（1）的表面上的液滴所在的区域沿上述表面远离而减小的磁场梯度。而且，通过使上述移动面形成部件（1）与磁场形成部件（4A、4B）相对地沿上述表面移动，使上述液滴沿着磁场梯度移动。

公开(公告)号：CN101361177A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001655.9

申请日：2007-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/07

CPC classification number: H01L21/67778 ,  H01L21/67766

Abstract: 本发明提供一种基板移载装置、基板处理装置、基板移载用臂、基板移载方法，能够与晶片保持舟中的任意的保持板之间进行基板的交换，并使保持板的间距比现有技术更窄。基板移载装置(300)包括：以能够旋转和升降的方式构成的基台(310)；在基台上以能够进退的方式设置且具有用于装载并搬送基板的搬送叉部(322)的第一臂(320)；和在基台上以能够进退的方式设置且具有设置有能够起倒的基板举起机构(340)的举起叉部(332)的第二臂(330)。

公开(公告)号：CN100401473C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200310115692.6

申请日：2003-10-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  冈哲史

IPC: H01L21/205

Abstract: 在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序。在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。