公开(公告)号：CN1607645A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200310115692.6

申请日：2003-10-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  冈哲史

IPC: H01L21/205

Abstract: 在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序。在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。

公开(公告)号：CN100401473C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200310115692.6

申请日：2003-10-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  冈哲史

IPC: H01L21/205

Abstract: 在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序。在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。