公开(公告)号：CN101460655B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780020347.0

申请日：2007-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 榎本隆 ,  萩原正明 ,  高明辉 ,  滨元新二 ,  浦川理史 ,  亚瑟·H·小拉弗拉弥 ,  爱德华·海勒

IPC: C23C16/00

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。

公开(公告)号：CN101460655A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020347.0

申请日：2007-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 榎本隆 ,  萩原正明 ,  高明辉 ,  滨元新二 ,  浦川理史 ,  亚瑟·H·小拉弗拉弥 ,  爱德华·海勒

IPC: C23C16/00

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。