公开(公告)号：CN101451234B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810185711.5

申请日：2008-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: H01L21/285

Abstract: 本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。

公开(公告)号：CN101397653B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810169541.1

申请日：2008-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。

公开(公告)号：CN101397653A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810169541.1

申请日：2008-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。

公开(公告)号：CN101451234A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810185711.5

申请日：2008-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。