公开(公告)号：CN109309020A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710628535.7

申请日：2017-07-28

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 张峰溢 ,  李甫哲 ,  詹益旺 ,  廖家樑 ,  童宇诚 ,  陈建豪 ,  王嘉鸿

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L22/20 ,  H01L27/1085

摘要： 本发明公开一种半导体结构，包含一材料层，具有一切割道区，一矩形区域位于切割道区中，该矩形区域具有一对第一边缘与该切割道区的宽度方向平行，一对第二边缘与该切割道区的长度方向平行，一对第一图案沿着该对第一边缘埋设在该材料层中，一对第二图案沿着该对第二边缘埋设在该材料层中，其中该对第一图案的间距大于该对第二图案的间距。

公开(公告)号：CN108660437A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810166993.8

申请日：2018-02-28

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 永富佳将 ,  山崎裕久

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/67303 ,  H01L27/1085

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够改善在衬底上形成的膜的阶梯覆盖性能。解决手段为将下述工序依次进行多次从而在衬底上形成金属氧化膜：当向收容有所述衬底的处理室供给含有有机系金属的原料气体与非活性气体的混合气体时，以所述衬底上的所述混合气体的流速成为7.8m/秒～15.6m/秒的范围内的值、所述混合气体中的所述含有有机系金属的原料气体的分压成为0.167～0.3的范围内的值的方式进行调节并供给的工序；将所述处理室排气的工序；向所述处理室供给含氧气体的工序；和将所述处理室排气的工序。

公开(公告)号：CN107845633A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201711038988.0

申请日：2017-10-30

申请人： 睿力集成电路有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891

摘要： 本发明提供了一种存储器及其制造方法，先形成接触隔离层，再形成存储节点接触，由此，接触隔离层能够很好的隔离相邻的存储节点接触，从而提高所形成的存储器的可靠性。进一步的，存储节点接触对应接触窗并偏移延伸至位线结构中，由此使得存储节点接触具有较大的截面宽度，从而使得存储节点接触具有较小的阻值，提高了存储节点接触的质量。同时，存储节点接触对应接触窗并偏移延伸至位线结构中，也使得后续形成的电容器具有更大的工艺窗口，降低了工艺难度。

公开(公告)号：CN103165539B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210223828.4

申请日：2012-07-02

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金裕松 ,  郑镇基

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/764 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10891

摘要： 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：刻蚀半导体衬底并且形成被多个沟槽彼此分开的多个本体；形成具有开口部的保护层以使本体中的每个的两个侧壁暴露出来；通过使本体经由开口部所暴露出的部分硅化来形成掩埋位线；以及形成电介质层以间隙填充沟槽并且限定相邻的掩埋位线之间的空气间隙。

公开(公告)号：CN102760735B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210210008.1

申请日：2012-06-20

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 卢超群 ,  郭明宏

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10879 ,  H01L28/60 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/785

摘要： 一种动态记忆体结构，包含位于基材上的条状半导体材料、跨越条状半导体材料的栅极，而将条状半导体材料分成源极端、漏极端及通道区，其中源极端的源极宽度大于或等于通道区的宽度、至少部分夹置于栅极与条状半导体材料间的介电层、以及位于基材上，包含作为下电极的源极端的电容单元。

公开(公告)号：CN104347592A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410136470.0

申请日：2014-04-04

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 廉胜振 ,  林成沅 ,  洪承希 ,  李孝硕 ,  李南烈

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/10888 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/48 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：多个第一导电结构，其形成在衬底之上；第二导电结构，每个形成在第一导电结构中的相邻的第一导电结构之间；气隙，每个形成在第二导电结构与第二导电结构的相邻的第一导电结构之间；第三导电结构，每个覆盖气隙的一部分；以及覆盖结构，每个覆盖气隙的其它部分。

公开(公告)号：CN103907177A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201180074601.1

申请日：2011-11-03

申请人： 英特尔公司

发明人： R·A·布雷恩

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L28/60 ,  G06F1/184 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了集成电路设备的电容器结构。电容器包括紧邻的致密或高度致密蚀刻停止层。致密或高度致密蚀刻停止层是例如高k材料。电容器是例如金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，且在DRAM(动态随机存取存储器)和eDRAM(嵌入式动态随机存取存储器)结构中是有用的。

公开(公告)号：CN103383933A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210552090.6

申请日：2012-12-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 白志阳 ,  涂国基 ,  江文铨 ,  周仲彦

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN102760735A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210210008.1

申请日：2012-06-20

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 卢超群 ,  郭明宏

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10879 ,  H01L28/60 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/785

摘要： 一种动态记忆体结构，包含位于基材上的条状半导体材料、跨越条状半导体材料的栅极，而将条状半导体材料分成源极端、漏极端及通道区，其中源极端的源极宽度大于或等于通道区的宽度、至少部分夹置于栅极与条状半导体材料间的介电层、以及位于基材上，包含作为下电极的源极端的电容单元。

公开(公告)号：CN102148228A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110021014.8

申请日：2011-01-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 山本阳一 ,  服卷直美 ,  坂本美里 ,  加藤芳健

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/91 ,  H01L29/517

摘要： 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。该半导体器件具有电容器元件，其中，电容电介质膜被设置在上电极膜(上电极膜114、上电极膜116)与下电极膜之间，并且对于至少与电容电介质膜接触的部分，下电极膜具有多晶钛氮化物。