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公开(公告)号：CN106057772A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510610880.9
申请日：2015-09-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/7682 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53257 , H01L23/53295
摘要： 本发明提供了一种示例性半导体器件，包括：第一导电部件，位于介电层中；以及第二导电部件，位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构，并且还包括：顶部，位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内；和底部，位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料，并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN106057772B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510610880.9
申请日：2015-09-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/7682 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53257 , H01L23/53295
摘要： 本发明提供了一种示例性半导体器件，包括：第一导电部件，位于介电层中；以及第二导电部件，位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构，并且还包括：顶部，位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内；和底部，位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料，并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN103383933A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210552090.6
申请日：2012-12-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L27/06 , H01L21/02 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/91 , H01L21/76832 , H01L21/76879 , H01L21/76897 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L27/108 , H01L27/1085 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/40 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN102891142B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210044727.0
申请日：2012-02-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L28/40
摘要： 公开了具有无方向去耦电容器的半导体器件和制造该半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括至少一个集成电路和至少一个去耦电容器。将至少一个去耦电容器定向为与至少一个集成电路定向的方向不同的方向。
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公开(公告)号：CN100416837C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510056836.4
申请日：2005-03-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10805 , H01L27/10829 , H01L27/1085
摘要： 本发明是有关于一种内存晶胞及其制造方法。该内存晶胞主要包括开关晶体管以及储存区域。其中晶体管设有闸极以及汲极，储存区域设有浅沟渠隔离区域(STI)的沟渠，而位于沟渠中的非绝缘结构的材质例如可为多晶硅或是金属材质，以作为电容结构。利用掺杂的侧壁来定义一部分的沟渠，其中该掺杂的侧壁是为晶体管的源极，且以一介电层使多晶硅与沟渠的侧壁彼此互相分离。进行写入操作时，利用穿透介电层的穿隧机制，使电荷传送至非绝缘结构中，并且利用沟渠侧壁表面上所产生的闸极引发汲极漏电流(GIDL)电流来辅助讯号的读取操作。本发明的实施例可缩减元件的尺寸、增加电荷保存的期限以及增加与标准制程步骤之间的相容性。
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公开(公告)号：CN103383933B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210552090.6
申请日：2012-12-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L27/06 , H01L21/02 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/91 , H01L21/76832 , H01L21/76879 , H01L21/76897 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L27/108 , H01L27/1085 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/40 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN100470841C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610066934.0
申请日：2006-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04
摘要： 本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效晶体管的晶体管元件，本发明揭露了于块状硅材上的的的类平面互补金氧半导体及鳍式场效晶体管的晶体管元件。第一晶体管具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的的侧壁上。第二晶体管则具有掺杂且凹陷的通道区，且其具有复数个边鳍并列于元件的主动区的边界上。第三晶体管具有未掺杂且凹陷的通道区于浅沟隔离区的侧壁上，其中通道区具有复数个边鳍于其上。此外，上述的每一元件均可附加额外的罩幕，以让传统晶体管及本发明的类鳍式场效晶体管的晶体管元件共同制造于块状硅材上。另外，数个用以制造以上各个元件的方法亦将在本发明中揭露。
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公开(公告)号：CN1753185A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510056836.4
申请日：2005-03-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10805 , H01L27/10829 , H01L27/1085
摘要： 本发明是有关于一种内存晶胞及其制造方法。该内存晶胞主要包括开关晶体管以及储存区域。其中晶体管设有闸极以及汲极，储存区域设有浅沟渠隔离区域(STI)的沟渠，而位于沟渠中的非绝缘结构的材质例如可为多晶硅或是金属材质，以作为电容结构。利用掺杂的侧壁来定义一部分的沟渠，其中该掺杂的侧壁是为晶体管的源极，且以一介电层使多晶硅与沟渠的侧壁彼此互相分离。进行写入操作时，利用穿透介电层的穿隧机制，使电荷传送至非绝缘结构中，并且利用沟渠侧壁表面上所产生的闸极引发汲极漏电流(GIDL)电流来辅助讯号的读取操作。本发明的实施例可缩减元件的尺寸、增加电荷保存的期限以及增加与标准制程步骤之间的相容性。
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公开(公告)号：CN102956440B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210236571.6
申请日：2012-07-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/522
CPC分类号： H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/10894 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种电容器及其制造方法，片上系统(SOC)器件包括第一区域中的第一电容器、第二区域中的第二电容器，并且还包括第三区域中的第三电容器以及附加区域中的任何附加数量的电容器。电容器可以为不同的形状和大小。区域可包括多于一个的电容器。区域中的每个电容器都具有顶部电极、底部电极和电容器绝缘体。在共用工艺中形成所有电容器的顶部电极，同时在共用工艺中形成所有电容器的底部电极。电容器绝缘体可具有不同数量的子层，由不同厚度的不同材料形成。点融资可形成在层间电介质层或金属间电介质层中。区域可以为混合信号区域、模拟区域、射频区域、动态随机存取存储器区域等。
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公开(公告)号：CN102956440A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210236571.6
申请日：2012-07-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/522
CPC分类号： H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/10894 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种电容器及其制造方法，片上系统(SOC)器件包括第一区域中的第一电容器、第二区域中的第二电容器，并且还包括第三区域中的第三电容器以及附加区域中的任何附加数量的电容器。电容器可以为不同的形状和大小。区域可包括多于一个的电容器。区域中的每个电容器都具有顶部电极、底部电极和电容器绝缘体。在共用工艺中形成所有电容器的顶部电极，同时在共用工艺中形成所有电容器的底部电极。电容器绝缘体可具有不同数量的子层，由不同厚度的不同材料形成。点融资可形成在层间电介质层或金属间电介质层中。区域可以为混合信号区域、模拟区域、射频区域、动态随机存取存储器区域等。
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