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公开(公告)号:CN106057772A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201510610880.9
申请日:2015-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/7682 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53257 , H01L23/53295
Abstract: 本发明提供了一种示例性半导体器件,包括:第一导电部件,位于介电层中;以及第二导电部件,位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构,并且还包括:顶部,位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内;和底部,位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料,并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN106057772B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201510610880.9
申请日:2015-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/7682 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53257 , H01L23/53295
Abstract: 本发明提供了一种示例性半导体器件,包括:第一导电部件,位于介电层中;以及第二导电部件,位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构,并且还包括:顶部,位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内;和底部,位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料,并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN103247598B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201210195643.7
申请日:2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种器件,包括介电层、位于介电层中的金属线以及位于金属线下面并且连接至金属线的通孔。两个伪金属图案与金属线邻接并与直线对准。伪金属线互连两个伪金属图案。伪金属线的宽度小于两个伪金属图案的长度和宽度,其中在与直线垂直的方向上测量宽度。两个伪金属图案和伪金属线的底部与金属线的底面大体齐平。本发明还公开了采用硬掩模形成金属线和通孔。
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公开(公告)号:CN103247598A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201210195643.7
申请日:2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种器件,包括介电层、位于介电层中的金属线以及位于金属线下面并且连接至金属线的通孔。两个伪金属图案与金属线邻接并与直线对准。伪金属线互连两个伪金属图案。伪金属线的宽度小于两个伪金属图案的长度和宽度,其中在与直线垂直的方向上测量宽度。两个伪金属图案和伪金属线的底部与金属线的底面大体齐平。本发明还公开了采用硬掩模形成金属线和通孔。
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