公开(公告)号：CN107039376A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611195995.7

申请日：2016-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄义钧 ,  姚志翔 ,  郑价言

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/485

摘要： 在用于制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一介电层。在第一介电层中形成第一组凹槽。在第一组凹槽中形成金属层。从第一组凹槽中的金属层形成一组金属布线。在第一介电层中形成第二组凹槽。在该组金属布线上方和第二组凹槽中形成第二介电层。在第一介电层和第二介电层中形成第三组凹槽。在金属布线上方和第三组凹槽中形成第三介电层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN112151497B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201910576756.3

申请日：2019-06-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(南京)有限公司

发明人： 黄义钧 ,  陈奕志 ,  郭俊玮

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

摘要： 本公开涉及半导体结构以及形成半导体结构的方法。一种半导体结构包括位于第一电介质层中的第一导电线和第二导电线，以及位于覆盖第一电介质层的第二电介质层中的第三导电线。第一导电线和第二导电线各自沿着第一方向延伸。第三导电线沿着不同于第一方向的第二方向并且至少在第二导电线上方延伸。半导体结构还包括位于第二电介质层中并且电连接第二导电线和第三导电线的通孔。通孔定位在第二导电线的一部分上。半导体结构还包括位于第一导电线上方的电介质帽盖部。电介质帽盖部的底表面低于第一电介质层的顶表面。

公开(公告)号：CN112151497A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910576756.3

申请日：2019-06-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(南京)有限公司

发明人： 黄义钧 ,  陈奕志 ,  郭俊玮

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

摘要： 本公开涉及半导体结构以及形成半导体结构的方法。一种半导体结构包括位于第一电介质层中的第一导电线和第二导电线，以及位于覆盖第一电介质层的第二电介质层中的第三导电线。第一导电线和第二导电线各自沿着第一方向延伸。第三导电线沿着不同于第一方向的第二方向并且至少在第二导电线上方延伸。半导体结构还包括位于第二电介质层中并且电连接第二导电线和第三导电线的通孔。通孔定位在第二导电线的一部分上。半导体结构还包括位于第一导电线上方的电介质帽盖部。电介质帽盖部的底表面低于第一电介质层的顶表面。

公开(公告)号：CN106057772B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510610880.9

申请日：2015-09-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄义钧 ,  姚志翔 ,  郑价言 ,  江文铨 ,  黄瀛文

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295

摘要： 本发明提供了一种示例性半导体器件，包括：第一导电部件，位于介电层中；以及第二导电部件，位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构，并且还包括：顶部，位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内；和底部，位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料，并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106057772A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510610880.9

申请日：2015-09-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄义钧 ,  姚志翔 ,  郑价言 ,  江文铨 ,  黄瀛文

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295

摘要： 本发明提供了一种示例性半导体器件，包括：第一导电部件，位于介电层中；以及第二导电部件，位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构，并且还包括：顶部，位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内；和底部，位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料，并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。