- 专利标题： 类平面及类鳍式场效晶体管的晶体管元件及其制造方法
- 专利标题（英）： Transistor element for quasi-plannar and finfet-like field effect transistor and manufacturing method thereof
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申请号： CN200610066934.0申请日： 2006-03-30
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公开(公告)号： CN100470841C公开(公告)日： 2009-03-18
- 发明人: 季明华 , 江文铨 , 江木吉
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹科学工业园区力行六路8号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹科学工业园区力行六路8号
- 代理机构： 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁; 张华辉
- 优先权： 11/094,879 2005.03.30 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/822 ; H01L27/04
摘要：
本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效晶体管的晶体管元件，本发明揭露了于块状硅材上的的的类平面互补金氧半导体及鳍式场效晶体管的晶体管元件。第一晶体管具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的的侧壁上。第二晶体管则具有掺杂且凹陷的通道区，且其具有复数个边鳍并列于元件的主动区的边界上。第三晶体管具有未掺杂且凹陷的通道区于浅沟隔离区的侧壁上，其中通道区具有复数个边鳍于其上。此外，上述的每一元件均可附加额外的罩幕，以让传统晶体管及本发明的类鳍式场效晶体管的晶体管元件共同制造于块状硅材上。另外，数个用以制造以上各个元件的方法亦将在本发明中揭露。
公开/授权文献
- CN1855542A 类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件及其制造方法 公开/授权日：2006-11-01
IPC分类:
