-
公开(公告)号：CN109216267A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811066638.X
申请日：2014-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 公开了用于提供解耦过孔填充的技术。给定过孔沟槽，将第一阻挡层共形地沉积到沟槽的底部和侧壁上。将第一金属填料毯式沉积到沟槽中。随后，使非选择性沉积物凹进，使得仅沟槽的部分填充有第一金属。与第一金属一起去除先前沉积的第一阻挡层，由此重新暴露沟槽的上部侧壁。将第二阻挡层共形地沉积到第一金属的顶部和现在曝露的沟槽的侧壁上。将第二金属填料毯式沉积到剩余沟槽中。能够如随后的处理所需地执行平坦化和/或蚀刻。从而，提供了用于使用双金属工艺来填充高纵横比过孔的方法学。然而，需要注意，第一填充金属和第二填充金属可以相同。
-
公开(公告)号：CN107004633A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083550.2
申请日：2014-12-22
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31
摘要： 描述了用于半导体器件的具有交替的电介质盖和蚀刻停止衬垫的互连结构以及用于制造这种装置的方法。根据实施例，互连结构可以包括层间电介质(ILD)，所述层间电介质具有在ILD的顶表面之上的第一硬掩模层。所述互连结构还可以包括ILD中的一个或多个第一互连线。第一电介质盖可以定位于每个所述第一互连线的顶表面上方。额外的实施例包括ILD中的与所述第一互连线布置成交替图案的一个或多个第二互连线。第二电介质盖可以形成于每个所述第二互连线的顶表面上方。实施例还可以包括形成在第一电介质盖的顶表面之上的蚀刻停止衬垫。
-
公开(公告)号：CN107004597A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083579.0
申请日：2014-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/32115 , H01L21/32133 , H01L21/76847 , H01L23/3171 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266
摘要： 公开了用于提供解耦过孔填充的技术。给定过孔沟槽，将第一阻挡层共形地沉积到沟槽的底部和侧壁上。将第一金属填料毯式沉积到沟槽中。随后，使非选择性沉积物凹进，使得仅沟槽的部分填充有第一金属。与第一金属一起去除先前沉积的第一阻挡层，由此重新暴露沟槽的上部侧壁。将第二阻挡层共形地沉积到第一金属的顶部和现在曝露的沟槽的侧壁上。将第二金属填料毯式沉积到剩余沟槽中。能够如随后的处理所需地执行平坦化和/或蚀刻。从而，提供了用于使用双金属工艺来填充高纵横比过孔的方法学。然而，需要注意，第一填充金属和第二填充金属可以相同。
-
公开(公告)号：CN104054169B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201180074793.6
申请日：2011-11-10
申请人： 英特尔公司
发明人： R·A·布雷恩 , J·M·施泰格瓦尔德
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/28
CPC分类号： H01L28/40 , G06F1/16 , H01L27/108 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91
摘要： 一种位线上电容器结构包括具有开口容器式形状因数的底电极。该底电极形状因数包括底板、直线侧壁以及定义最顶端特征的边框。电容器电介质膜接触并覆盖底板、侧壁以及边框。顶电极具有补偿凹进底电极形状因数的凸出形状因数。形成位线上电容器结构的工艺包括：旋涂诸如氧化物的可回流牺牲材料以覆盖半导体器件的逻辑和存储部分，然后进行回抛光工艺并且凹进蚀刻底电极。
-
公开(公告)号：CN107004598B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201480083592.6
申请日：2014-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
摘要： 公开了用于使在给定互连层内的选定过孔绝缘或电隔离的技术，所以导电布线可在那些选定隔离过孔之上跳过以到达在该同一层中的其它过孔或互连。这样的过孔阻挡层可按需要选择性地实现在给定互连内的任何数量的位置中。还提供用于形成过孔阻挡层的技术，包括第一方法，其使用牺牲钝化层来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；第二方法，其使用湿凹进聚合物制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；以及第三方法，其使用纳米粒子制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层。避免了一般与共形沉积工艺相关联的有害的蚀刻工艺。
-
公开(公告)号：CN107004633B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201480083550.2
申请日：2014-12-22
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31
摘要： 描述了用于半导体器件的具有交替的电介质盖和蚀刻停止衬垫的互连结构以及用于制造这种装置的方法。根据实施例，互连结构可以包括层间电介质(ILD)，所述层间电介质具有在ILD的顶表面之上的第一硬掩模层。所述互连结构还可以包括ILD中的一个或多个第一互连线。第一电介质盖可以定位于每个所述第一互连线的顶表面上方。额外的实施例包括ILD中的与所述第一互连线布置成交替图案的一个或多个第二互连线。第二电介质盖可以形成于每个所述第二互连线的顶表面上方。实施例还可以包括形成在第一电介质盖的顶表面之上的蚀刻停止衬垫。
-
公开(公告)号：CN107004598A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083592.6
申请日：2014-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L2221/1031 , H01L2221/1063
摘要： 公开了用于使在给定互连层内的选定过孔绝缘或电隔离的技术，所以导电布线可在那些选定隔离过孔之上跳过以到达在该同一层中的其它过孔或互连。这样的过孔阻挡层可按需要选择性地实现在给定互连内的任何数量的位置中。还提供用于形成过孔阻挡层的技术，包括第一方法，其使用牺牲钝化层来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；第二方法，其使用湿凹进聚合物制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；以及第三方法，其使用纳米粒子制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层。避免了一般与共形沉积工艺相关联的有害的蚀刻工艺。
-
公开(公告)号：CN103907177B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201180074601.1
申请日：2011-11-03
申请人： 英特尔公司
发明人： R·A·布雷恩
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L28/60 , G06F1/184 , H01L21/02148 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/31144 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76877 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L27/10805 , H01L27/10814 , H01L27/1085 , H01L27/10852 , H01L27/10885 , H01L28/40 , H01L28/90 , H01L28/91 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供了集成电路设备的电容器结构。电容器包括紧邻的致密或高度致密蚀刻停止层。致密或高度致密蚀刻停止层是例如高k材料。电容器是例如金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，且在DRAM(动态随机存取存储器)和eDRAM(嵌入式动态随机存取存储器)结构中是有用的。
-
公开(公告)号：CN111052345A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201780094240.4
申请日：2017-09-30
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 描述了导电过孔和金属线端制造。在示例中，一种互连结构包括在硬掩模层上的第一层间电介质(ILD)，其中，ILD包括第一ILD开口和第二ILD开口。互连结构还包括ILD层上的蚀刻停止层(ESL)，其中，ESL包括与第一ILD开口对准以形成第一过孔开口的第一ESL开口，并且其中，ESL层包括与第二ILD开口对准的第二ESL开口。互连结构还包括第一过孔开口中的第一过孔；第一ESL上的第二ILD层；第二ILD层中的金属线，其中，金属线与第一过孔接触，并且其中，金属线包括第一金属开口，并且其中，金属线包括与第二ILD开口和第二ESL开口对准以形成第二过孔开口的第二金属开口。互连结构还包括第一金属开口中的金属线端，并进一步包括金属线中的第二过孔，其中，第二过孔在第二过孔开口中。
-
公开(公告)号：CN104838495B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201380060834.5
申请日：2013-12-18
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/48
摘要： 本公开内容的实施例描述了与使用互连层的互连结构来形成用于穿硅通孔(TSV)的平台结构相关联的技术和构造。在一个实施例中，装置包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的所述第一表面上的器件层，所述器件层包括一个或多个晶体管器件；设置在所述器件层上的互连层，所述互连层包括多个互连结构；以及设置在所述第一表面与所述第二表面之间的一个或多个穿硅通孔，其中，所述多个互连结构包括与所述一个或多个TSV电耦合并且被配置为提供所述一个或多个TSV的一个或多个对应的平台结构的互连结构。还可以描述和/或要求保护其它实施例。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.025 秒)
