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公开(公告)号：CN103890940A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180074420.9
申请日：2011-10-28
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/6835 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5286 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L2221/6835 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17106 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/186 , H01L2924/381 , H01L2924/01015 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。
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公开(公告)号：CN115836602A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180049418.X
申请日：2021-07-23
申请人： 英特尔公司
发明人： A·J·威尔士 , C·M·佩尔托 , D·J·汤纳 , M·A·布朗特 , T·伊藤 , D·塞格特 , C·R·赖德 , S·F·桑德霍尔姆 , C·阿贝塞克拉 , A·W·戴伊 , C-Y·林 , U·E·艾维兹
IPC分类号： H10N97/00
摘要： 描述金属绝缘体金属电容器。在示例中，电容器包括第一电极面板以及所述第一电极面板上的第一电容器电介质。第二电极面板处于所述第一电容器电介质上，并且处于所述第一电极面板之上并且与所述第一电极面板平行，以及第二电容器电介质处于所述第二电极面板上。第三电极面板处于所述第二电容器电介质上，并且处于所述第二电极面板之上并且与所述第二电极面板平行，以及第三电容器电介质处于所述第三电极面板上。第四电极面板处于所述第三电容器电介质上，并且处于所述第三电极面板之上并且与所述第三电极面板平行。在另一示例中，电容器包括第一电极、所述第一电极上的电容器电介质以及所述电容器电介质上的第二电极。所述电容器电介质包括多个交替的第一介电层和第二介电层。
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公开(公告)号：CN104170060B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201180076128.0
申请日：2011-12-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , H01L21/76898 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种集成电路器件，包括单一半导体基板；形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层；形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层；形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV)，其电气耦合至该器件层及该再分配层；形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI)，其电气耦合至该再分配层；和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件，其电气耦合至该再分配层。
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公开(公告)号：CN116344502A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211389795.0
申请日：2022-11-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L25/16 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 本文提供了一种具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构。提供了一种微电子组件，该微电子组件包括：位于第一层中的第一多个集成电路(IC)管芯；位于第二层中的第二多个IC管芯；以及位于第三层中的第三多个IC管芯，其中：第二层位于第一层和第三层之间，位于两个相邻层之间的界面包括在互连中的相邻互连之间具有小于10微米的间距的互连，并且第一层、第二层和第三层中的每个包括电介质材料，并且还包括在电介质材料中的导电迹线。
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公开(公告)号：CN104838495B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201380060834.5
申请日：2013-12-18
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/48
摘要： 本公开内容的实施例描述了与使用互连层的互连结构来形成用于穿硅通孔(TSV)的平台结构相关联的技术和构造。在一个实施例中，装置包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的所述第一表面上的器件层，所述器件层包括一个或多个晶体管器件；设置在所述器件层上的互连层，所述互连层包括多个互连结构；以及设置在所述第一表面与所述第二表面之间的一个或多个穿硅通孔，其中，所述多个互连结构包括与所述一个或多个TSV电耦合并且被配置为提供所述一个或多个TSV的一个或多个对应的平台结构的互连结构。还可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN104838495A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380060834.5
申请日：2013-12-18
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要： 本公开内容的实施例描述了与使用互连层的互连结构来形成用于穿硅通孔(TSV)的平台结构相关联的技术和构造。在一个实施例中，装置包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的所述第一表面上的器件层，所述器件层包括一个或多个晶体管器件；设置在所述器件层上的互连层，所述互连层包括多个互连结构；以及设置在所述第一表面与所述第二表面之间的一个或多个穿硅通孔，其中，所述多个互连结构包括与所述一个或多个TSV电耦合并且被配置为提供所述一个或多个TSV的一个或多个对应的平台结构的互连结构。还可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN103890940B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201180074420.9
申请日：2011-10-28
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/6835 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5286 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L2221/6835 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17106 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/186 , H01L2924/381 , H01L2924/01015 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。
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公开(公告)号：CN104170060A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201180076128.0
申请日：2011-12-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , H01L21/76898 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种集成电路器件，包括单一半导体基板；形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层；形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层；形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV)，其电气耦合至该器件层及该再分配层；形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI)，其电气耦合至该再分配层；和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件，其电气耦合至该再分配层。
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公开(公告)号：CN118866870A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311815108.1
申请日：2023-12-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/538
摘要： 描述了穿硅过孔管芯。在示例中，半导体管芯包括具有器件侧和背侧的衬底。有源器件层在衬底的器件侧中或上。电介质结构在有源器件层上方。第一管芯边缘金属保护环在电介质结构中并且围绕衬底的外周界。多个金属化层在电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个穿硅过孔在衬底中并延伸到电介质结构中，并且连接到多个金属化层。多个背侧金属化结构在衬底的背侧下方。多个穿硅过孔连接到多个背侧金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背侧金属化结构。
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