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发明公开
穿硅过孔管芯审中-公开

公开(公告)号：CN118866870A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202311815108.1

申请日：2023-12-27

申请人： 英特尔公司

发明人： M·E·卡比尔 , K·扎瓦兹基 , R·哈斯木 , S·丘 , Z·张 , C·M·佩尔托 , B·达亚尔 , J·K·泰勒 , D·因格利

IPC分类号： H01L23/538

摘要： 描述了穿硅过孔管芯。在示例中，半导体管芯包括具有器件侧和背侧的衬底。有源器件层在衬底的器件侧中或上。电介质结构在有源器件层上方。第一管芯边缘金属保护环在电介质结构中并且围绕衬底的外周界。多个金属化层在电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个穿硅过孔在衬底中并延伸到电介质结构中，并且连接到多个金属化层。多个背侧金属化结构在衬底的背侧下方。多个穿硅过孔连接到多个背侧金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背侧金属化结构。