公开(公告)号：CN115836602A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180049418.X

申请日：2021-07-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·J·威尔士 ,  C·M·佩尔托 ,  D·J·汤纳 ,  M·A·布朗特 ,  T·伊藤 ,  D·塞格特 ,  C·R·赖德 ,  S·F·桑德霍尔姆 ,  C·阿贝塞克拉 ,  A·W·戴伊 ,  C-Y·林 ,  U·E·艾维兹

IPC: H10N97/00

Abstract: 描述金属绝缘体金属电容器。在示例中，电容器包括第一电极面板以及所述第一电极面板上的第一电容器电介质。第二电极面板处于所述第一电容器电介质上，并且处于所述第一电极面板之上并且与所述第一电极面板平行，以及第二电容器电介质处于所述第二电极面板上。第三电极面板处于所述第二电容器电介质上，并且处于所述第二电极面板之上并且与所述第二电极面板平行，以及第三电容器电介质处于所述第三电极面板上。第四电极面板处于所述第三电容器电介质上，并且处于所述第三电极面板之上并且与所述第三电极面板平行。在另一示例中，电容器包括第一电极、所述第一电极上的电容器电介质以及所述电容器电介质上的第二电极。所述电容器电介质包括多个交替的第一介电层和第二介电层。

公开(公告)号：CN114446872A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111170788.7

申请日：2021-10-08

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·杰泽斯基 ,  J-R·陈 ,  M·雷什奥特克 ,  J·M·布莱克韦尔 ,  M·梅茨 ,  C-Y·林

IPC: H01L21/768

Abstract: 集成电路互连结构包括具有衬垫材料的互连金属化特征，所述衬垫材料在填充金属和介电材料之间具有较大的厚度，并且在填充金属和下级互连金属化特征之间具有较小的厚度。衬垫材料可实质上不存在于填充金属与下级互连金属化特征之间的界面。在过孔底部处的厚度减小的衬垫材料可以减小过孔电阻和/或便于使用可以增强互连结构的可缩放性的高阻抗衬垫材料。在一些实施例中，利用区域选择性原子层沉积工艺将衬垫材料沉积在介电表面上。对于单镶嵌实施方式，过孔和金属线两者都可以包括选择性沉积的衬垫材料。