发明公开
- 专利标题： 具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构
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申请号： CN202211389795.0申请日： 2022-11-08
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公开(公告)号： CN116344502A公开(公告)日： 2023-06-27
- 发明人: A·A·埃尔谢尔比尼 , C·M·佩尔托 , K·俊 , B·M·罗林斯 , S·M·利夫 , B·A·杰克逊 , R·J·穆诺茨 , J·M·斯旺
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 林金朝
- 优先权： 17/548,078 20211210 US
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L25/16 ; H01L21/50 ; H01L21/60
摘要：
本文提供了一种具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构。提供了一种微电子组件，该微电子组件包括：位于第一层中的第一多个集成电路(IC)管芯；位于第二层中的第二多个IC管芯；以及位于第三层中的第三多个IC管芯，其中：第二层位于第一层和第三层之间，位于两个相邻层之间的界面包括在互连中的相邻互连之间具有小于10微米的间距的互连，并且第一层、第二层和第三层中的每个包括电介质材料，并且还包括在电介质材料中的导电迹线。
IPC分类:
