公开(公告)号：CN105369215A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510250443.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H.思里丹达姆 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  T.R.加夫尼 ,  E.J.小卡瓦克基

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开了由含有Si-H3的烷氨基硅烷，优选式(R1R2N)SiH3(其中R1和R2独立地选自C2-C10)以及氮源或氧源(优选氨或氧)进行等离子体增强周期化学气相沉积氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅、羧基氮化硅和掺碳的氧化硅的方法，使得膜与由热化学气相沉积获得的膜相比具有改进的特性，例如蚀刻速率、氢浓度和应力。

公开(公告)号：CN102157494B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201110042223.0

申请日：2006-07-24

Applicant: 米辑电子股份有限公司

Inventor： 林茂雄 ,  罗心荣 ,  周秋明 ,  周健康

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明提供一种线路组件，包括：一基底；一第一绝缘层，位于该基底上；一第一金属层，位于该第一绝缘层上，且该第一金属层包括一第一黏着/阻障层、一第一种子层与一第一金属线圈，该第一种子层位于该第一黏着/阻障层上，该第一金属线圈位于该第一种子层上；一第二绝缘层，位于该第一绝缘层与该第一金属层上；一第二金属层，位于该第二绝缘层上，且该第二金属层包括一第二黏着/阻障层、一第二种子层与一第二金属线圈，该第二种子层位于该第二黏着/阻障层上，该第二黏着/阻障层没有位于该第二金属线圈的侧壁上，该第二金属线圈位于该第二种子层上并且连接该第一金属线圈；以及一打线导线，连接该第二金属层。

公开(公告)号：CN101937844A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101558481A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200880000820.3

申请日：2008-05-23

Applicant: 赛普拉斯半导体公司

Inventor： 克里希纳斯瓦米·库马尔

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明描述了一个制造非易失性电荷俘获存储器件的方法。该方法包括提供一个其上布置有电荷俘获层的衬底。通过暴露电荷俘获层来基团氧化制程，电荷俘获层的部分被氧化从而在电荷俘获层上形成阻挡介质层。

公开(公告)号：CN101529599A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040191.2

申请日：2007-11-20

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 蔡泰正 ,  克里斯托弗·肖恩·奥尔森 ,  科里·恰尼克 ,  朱斯皮纳·康蒂

IPC: H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了一种形成包括硅和氧的栅极电介质的方法。栅极电介质还可包括氮或另一种高k材料。在一个方面，形成栅极电介质包括在氧化气氛中退火衬底以形成氧化硅层，通过气相沉积在氧化硅层上沉积氮化硅层或高k层，氧化氮化硅层或高k层的上表面，之后退火衬底。可在集成处理系统中形成栅极电介质。

公开(公告)号：CN101438398A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016211.2

申请日：2007-05-02

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： T·C·楚埃 ,  C·恰尔尼克 ,  A·G·赫格迪什 ,  C·S·奥尔森 ,  K·Z·阿迈德 ,  P·A·克劳斯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518

Abstract: 提供了一种用以制作场效晶体管的栅极介电的方法。在一个实施例中，该方法包括移除原生氧化物层，形成氧化物层，在该氧化物层上形成栅极介电层，在该栅极介电层上形成氧化物层，以及使上述这些层与底下的热氧化物/硅界面退火。可任选地，在形成该栅极介电层之前可先将该氧化物层氮化。在一个实施例中，衬底上的氧化物层是藉由沉积该氧化物层而形成的，并且栅极介电层上的氧化物层是藉由使用含氧等离子体来氧化该栅极介电层的至少部分而形成的。在另一个实施例中，栅极介电层上的氧化物层是藉由形成热氧化物层——即在该栅极介电层上沉积该氧化物层而形成的。

公开(公告)号：CN100490176C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510135258.3

申请日：2005-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  陈尚志

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66636 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种具有高介电值栅极介电层的半导体元件制造过程中，抑制次氧化物形成的一种系统及方法。在一例子中，金属氧化物半导体晶体管是包含一栅极结构，包含一高介电值栅极介电层及一栅极电极。在此例子中，一氮化层覆盖于栅极上以于制造过程中防止氧进入结构中，然而需足够薄以于制造过程中具有效的穿透性；亦需足够厚以阻挡杂质渗透。本发明所述半导体元件及其制造方法，在半导体元件的制造过程中，可抑制次氧化层的形成。

公开(公告)号：CN100490073C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200380103808.2

申请日：2003-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中西敏雄 ,  西田辰夫 ,  尾崎成则

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: 根据本发明，当氮化处理硅基板表面时，在等离子体产生部和硅基板之间配置具有开口部的隔板，控制为硅基板表面的电子密度是le+7(个·cm-3)～le+9(个·cm-3)。根据本发明，有效地抑制了硅基板和氮化膜的劣化。

公开(公告)号：CN100477109C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200710128224.0

申请日：2004-10-26

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 王嗣裕

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及一种半导体组件及其制造方法，一含氮结构形成在半导体基板上，并经氧化，该氧化物结构中的氮重新分配形成一氮集中区域，氧化该结构及重新分配氮是藉自由基氧化施行。添加氮至该氧化物结构中，该氮集中区域有助于调整添加的氮所达的深度。

公开(公告)号：CN100459061C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200380100584.X

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 为了将增膜抑制到最小限度地有效地进行氮化非常薄的、膜厚0.4nm或以下的氧化膜、氮氧化膜，由氧自由基形成机构来形成氧自由基，利用形成的氧自由基，氧化硅基板，在硅基板上形成氧化膜，进一步由氮自由基形成机构来形成氮自由基，氮化所述氧化膜表面来形成氮氧化膜。