公开(公告)号：CN108886021A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022719.7

申请日：2017-01-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN105225951B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410240693.1

申请日：2014-05-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 赵杰 ,  曾以志

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681

摘要： 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的侧壁和顶部表面的伪栅；采用流动性化学气相沉积工艺形成覆盖所述伪栅和半导体衬底的前驱材料层，所述前驱材料层的表面高于伪栅的顶部表面；对所述前驱材料层进行退火工艺，将前驱材料层转化为介质层，所述介质层中形成有空洞；平坦化所述介质层，暴露出伪栅的表面；采用含氧去离子水对平坦化后的介质层进行处理，消除介质层中的空洞；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽中形成金属栅极。本发明的方法消除了鳍式场效应晶体管制作过程中介质层产生的空洞。

公开(公告)号：CN106558488A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201510860905.0

申请日：2015-11-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈俊纮 ,  张惠政 ,  栾洪发 ,  于雄飞 ,  许家玮

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02255 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L23/564 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/324 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/7855

摘要： 本发明公开一种半导体装置及其形成方法。在各种实施例中，半导体装置形成方法包括：接收包括通道的半导体基板。气氛调节层形成于通道之上。执行退火工艺以形成位于通道与气氛调节层之间的介面层。本发明内容所应用的气氛调节层，能改良介面层的均匀性及应变松驰。此外，本发明内容提供用于栅极介电层/介面层及介面层/半导体基板介面的一个步骤的钝化工艺，能减少成本。本发明内容提供的方法，能保持工艺期间的低热预算及更小的应变松驰，并适用于诸如含锗及基于第III族-第V族的材料的高电子迁移性通道。

公开(公告)号：CN103681351B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310386403.X

申请日：2013-08-30

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： C·格拉斯 ,  M·特伦茨施 ,  B·巴哈 ,  P·科罗顿泰勒

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明涉及在半导体结构中形成材料层的方法，本发明的一种方法包括在半导体结构上沉积第一材料层的第一部分；执行后处理制程的第一轮以至少将该第一材料层的该第一部分改性；在该后处理制程的该第一轮后，沉积该第一材料层的第二部分，而该第二部分由与该第一部分基本相同的材料构成；以及在该第一材料层的该第二部分的该沉积后，执行该后处理制程的第二轮以至少将该第一材料层的该第二部分改性。

公开(公告)号：CN105408244A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042219.6

申请日：2014-06-18

申请人： 株式会社尼康

发明人： 中积诚 ,  西康孝

IPC分类号： C01B13/32 ,  C01F7/30 ,  C01G9/02 ,  H01L21/283 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/02178 ,  C01F7/02 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/125 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/311 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物膜的技术。本发明中的金属氧化物膜的制造方法特征在于，其具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板上的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。

公开(公告)号：CN103500709B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201310337883.0

申请日：2011-03-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3115

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

摘要： 所公开的发明的一种方式是一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：形成第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧；在第一绝缘膜上形成源电极、漏电极及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。利用该制造方法可以形成具有稳定的电特性及高可靠性的包括氧化物半导体的半导体装置。

公开(公告)号：CN104851810A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510155886.1

申请日：2011-03-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/383 ,  H01L21/425 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/383 ,  H01L21/425

摘要： 所公开的发明的一种方式是一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：形成第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧；在第一绝缘膜上形成源电极、漏电极及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。利用该制造方法可以形成具有稳定的电特性及高可靠性的包括氧化物半导体的半导体装置。

公开(公告)号：CN101454877B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780020052.3

申请日：2007-05-29

申请人： 应用材料公司

发明人： X·陈 ,  S·D·耐马尼 ,  S·文卡特拉马

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 描述以二氧化硅充填基板上间隙的方法。该方法包括下列步骤：将有机硅前体与氧前体导入沉积腔，使前体开始反应以形成第一二氧化硅层于基板上的间隙内，然后蚀刻该第一二氧化硅层以减少该层中的碳含量。该方法亦包括形成第二二氧化硅层于该第一层上，然后蚀刻该第二层以减少该第二层中的碳含量。间隙被填满后，退火处理该些二氧化硅层。

公开(公告)号：CN102347266A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110216875.1

申请日：2011-07-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 渡边将久 ,  长谷部一秀

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/67167 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76227

摘要： 本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热，并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层，对形成有上述晶种层的半导体基板进行加热，并将单硅烷气体供给到上述晶种层的表面上而在上述晶种层上形成硅膜，使用经烧制会收缩的填充材料对形成有上述硅膜的半导体基板的上述沟槽进行填充，在含有水及/或羟基的气氛中对涂覆有用于填充上述沟槽的上述填充材料的上述半导体基板进行烧制，并使上述填充材料变化成硅氧化物、使上述硅膜以及上述晶种层分别变化成硅氧化物。

公开(公告)号：CN100477109C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200710128224.0

申请日：2004-10-26

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 王嗣裕

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/792

摘要： 本发明涉及一种半导体组件及其制造方法，一含氮结构形成在半导体基板上，并经氧化，该氧化物结构中的氮重新分配形成一氮集中区域，氧化该结构及重新分配氮是藉自由基氧化施行。添加氮至该氧化物结构中，该氮集中区域有助于调整添加的氮所达的深度。