沟槽的填充方法和成膜系统

    公开(公告)号:CN102347266B

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN201110216875.1

    申请日:2011-07-29

    IPC分类号: H01L21/762

    摘要: 本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热,并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层,对形成有上述晶种层的半导体基板进行加热,并将单硅烷气体供给到上述晶种层的表面上而在上述晶种层上形成硅膜,使用经烧制会收缩的填充材料对形成有上述硅膜的半导体基板的上述沟槽进行填充,在含有水及/或羟基的气氛中对涂覆有用于填充上述沟槽的上述填充材料的上述半导体基板进行烧制,并使上述填充材料变化成硅氧化物、使上述硅膜以及上述晶种层分别变化成硅氧化物。

    成膜装置及其使用方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101789361B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201010106483.5

    申请日:2010-01-26

    IPC分类号: H01L21/00

    CPC分类号: C23C16/4405

    摘要: 本发明提供一种成膜装置及其使用方法。成膜装置的使用方法在反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理。主清洁处理一边对反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到反应室内从而对含硅的成膜副生成物进行蚀刻。后清洁处理为了去除由主清洁处理产生且残留在反应室内的含硅氟化物,交替地反复多次进行以下2个工序:①将氧化气体供给到反应室内而来氧化含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序,以及②一边对反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到反应室内来使该氟化氢气体与中间生成物发生反应而去除该中间生成物的工序。