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公开(公告)号：CN1763915A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510112808.X
申请日：2005-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , C23C16/44 , C23C14/22
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。
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公开(公告)号：CN101158032B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200710192998.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , H01L21/205 , H01L21/365 , B08B5/00
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605 , Y10S134/902
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
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公开(公告)号：CN100533656C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610146816.0
申请日：2006-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/3205 , H01L21/285 , C23C16/00 , C23C16/455 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供半导体处理用的成膜装置的使用方法，包含通过清洗气体除去在所述成膜装置的反应室内面附着的副产物膜的工序，和通过平坦化气体对所述反应室的所述内面进行化学平坦化的工序。所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅的材料为主要成分。除去工序，在将所述清洗气体供给至所述反应室内的同时，将所述反应室内设定为所述清洗气体活化的第一温度和第一压力。平坦化的工序，在将所述平坦化气体供给至所述反应室内的同时，将反应室内设定为所述平坦化气体活化的第二温度和第二压力。所述平坦化气体包含氟气和氢气。
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公开(公告)号：CN101165207A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181202.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体及所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。
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公开(公告)号：CN101311336B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409232A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810167500.9
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28035 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。
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公开(公告)号：CN101311336A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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公开(公告)号：CN1971840A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146816.0
申请日：2006-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/3205 , H01L21/285 , C23C16/00 , C23C16/455 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供半导体处理用的成膜装置的使用方法，包含通过清洗气体除去在所述成膜装置的反应室内面附着的副产物膜的工序，和通过平坦化气体对所述反应室的所述内面进行化学平坦化的工序。所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅的材料为主要成分。除去工序，在将所述清洗气体供给至所述反应室内的同时，将所述反应室内设定为所述清洗气体活化的第一温度和第一压力。平坦化的工序，在将所述平坦化气体供给至所述反应室内的同时，将反应室内设定为所述平坦化气体活化的第二温度和第二压力。所述平坦化气体包含氟气和氢气。
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公开(公告)号：CN101409232B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810167500.9
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28035 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。
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公开(公告)号：CN101165207B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200710181202.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体及所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。
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