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公开(公告)号：CN103088314A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210419452.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其运用方法。在该成膜装置的运用方法中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其中，进行在与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合膜的密合膜形成工序。由此，使碳膜相对于与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒。
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公开(公告)号：CN101158032A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710192998.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , H01L21/205 , H01L21/365 , B08B5/00
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605 , Y10S134/902
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
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公开(公告)号：CN103088313B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210419154.5
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/02115 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供成膜装置及其运用方法。在成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其中，在成膜工序之前，在接触于处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜。由此，提高了碳膜的密合性，而且即使进行除去无用的碳膜的清洁处理，也会残留耐受性预涂膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103088314B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210419452.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其运用方法。在该成膜装置的运用方法中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其中，进行在与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合膜形成工序。由此，使碳膜相对于与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒。
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公开(公告)号：CN102339731A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110199995.5
申请日：2011-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。该清洗方法在供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
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公开(公告)号：CN102339731B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110199995.5
申请日：2011-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。该清洗方法在供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
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公开(公告)号：CN103088313A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210419154.5
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/02115 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供成膜装置及其运用方法。在成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其中，在成膜工序之前，在接触于处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜。由此，提高了碳膜的密合性，而且即使进行除去无用的碳膜的清洁处理，也会残留耐受性预涂膜。
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公开(公告)号：CN101158032B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200710192998.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , H01L21/205 , H01L21/365 , B08B5/00
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605 , Y10S134/902
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
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