一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法

    公开(公告)号:CN108374200A

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201810139741.6

    申请日:2018-02-11

    发明人: 窦卫东 施碧云

    摘要: 一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法,属于石墨烯技术领域。本发明的核心是调控基于石墨烯电极的有机半导体薄膜的形貌和晶体结构,该技术适用于有机场效应器件等具有横向器件结构的有机半导体器件。利用本技术可实现具有一维纳米线状构型的并五苯分子薄膜的可控制备。该纳米线状有机单晶晶畴的宽度为30纳米,长度为3-5微米。晶畴中并五苯分子呈“站立”式、“面对面”有序排列,形成具有单一晶体结构的有机分子薄膜。此类单晶薄膜对载流子的横向传输有利,适用于高性能有机场效应器件。

    钙钛矿结构CH3NH3PbBr3纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN105624771A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610031402.7

    申请日:2016-01-18

    申请人: 长安大学

    摘要: 本发明公开了钙钛矿结构CH3NH3PbBr3纳米线的制备方法,包括制备CH3NH3PbBr3的有机溶剂溶液,将CH3NH3PbBr3的有机溶剂溶液铺展在基底的亲水性表面进行有机溶剂的挥发;挥发有机溶剂后的基底再进行退火处理即得CH3NH3PbBr3纳米线。本发明采用溶剂挥发与退火技术结合进行CH3NH3PbBr3纳米线的制备,通过发现在重力及液体表面张力的共同作用下,随着溶剂的挥发,溶质在析晶过程中,会趋向于生长为一维结构的现象,成功的制备出了纳米线的结构,不仅制备工艺简单,且通过不同溶质的含量的控制实现了可控尺寸进行纳米线生长的目的。