用于OLED的导电载体,包括所述载体的OLED及其制造

    公开(公告)号:CN106537625B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201580038733.7

    申请日:2015-07-09

    发明人: D.吉马尔 J.博兹

    IPC分类号: H01L51/00 H01L51/52

    摘要: 本发明涉及一种用于OLED的导电载体(100),其按以下顺序包括:‑玻璃基材;‑由金属网格(2)形成的电极,金属网格(2)由线带(20)构成;‑在所述金属栅格(20)下方的绝缘光提取层(41),和‑在其厚度中部分结构化的层(3),该层(3)具有给定的组成并且具有1.7至2.3的折射指数n3,并且位于光提取层上,该部分结构化层(3)由具有含金属栅格的空腔的结构化区域(31)和从位于所述光提取层上的称为低区域的另一区域(30)形成,在结构化区域(31)的被称为高表面(31')的表面和金属栅格(2)的被称为上表面并因此离基材最远的表面之间的距离H大于100nm。线带(2)沿着它们的长度具有在与高表面(31')齐平的侧方区域(22,22')之间的中心区域(21)。

    电致发光器件及其发光层和应用

    公开(公告)号:CN108346750A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201710670753.7

    申请日:2017-08-08

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/52

    摘要: 本发明涉及一种电致发光器件及其发光层和应用。所述发光层包含至少一种纳米晶体半导体材料,以及至少一种激基复合物;所述激基复合物的发射光谱与所述纳米晶体半导体材料的激发光谱至少部分重叠;所述激基复合物的激发态的衰减寿命长于所述纳米晶体半导体材料的激发态的衰减寿命。本发明的发光层在发光过程中,形成延迟荧光的激基复合物能够有效将能量传递至纳米晶体半导体材料,进而获得发光效率高,且稳定的QLED器件的发光层。