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公开(公告)号:CN103700775B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201310747676.2
申请日:2013-12-31
Applicant: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
CPC classification number: H01L51/0081 , H01L51/001 , H01L51/0023 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0077 , H01L51/0079 , H01L51/008 , H01L51/0082 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5076 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件,包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极,所述电子传输层中掺杂有有机金属络合物和活泼金属化合物,其中,所述活泼金属化合物为碱金属化合物、碱土金属化合物或镧系金属化合物。其制备方法是:在ITO玻璃基片上依次刻蚀阳极图形、蒸镀空穴传输层和有机发光层;在所述有机发光层上共蒸镀电子传输材料、有机金属络合物、活泼金属化合物,形成电子传输层;在所述电子传输层上蒸镀阴极。本发明可以获得驱动电压更低、效率更高的阴极结构,并可以使用更广泛的材料作为阴极。
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公开(公告)号:CN101679857B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200880020538.1
申请日:2008-07-16
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C09K11/06 , C07D277/66 , C07D307/80 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D263/57 , C07D277/66 , C07D307/79 , C07D333/54 , C07D409/14 , C07D413/10 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供了一种发光元件材料,其特征为含有特定的芴化合物,由该材料可制成发光效率高且颜色纯度和耐久性优异的发光元件,还提供了使用该材料而成的发光元件。
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公开(公告)号:CN101213877A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200680023786.2
申请日:2006-06-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: T·L·小罗伊斯特
CPC classification number: H01L51/0079 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/186 , C09K2211/188 , H01L21/3127 , H01L51/0054 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/008 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , H05B33/14
Abstract: 一种OLED器件,其包括阴极、阳极、发光层、以及在阴极和发光层之间的非发光层,所述非发光层包含具有通式(1)的“n”个二齿配体的金属配合物,其中:M表示Ga、Al、Be或Mg;对于Ga或Al来说,n是3,对于Be或Mg来说,n是2;和各Za和各Zb被独立地选择,并且每一个表示完成不饱合环所需的原子;Za和Zb彼此直接键合,前提是Za和Zb可进一步被连接在一起而形成稠环系统;前提是发光层基本上没有所述的存在于非发光层中的金属配合物。这种器件显示出改善的发光效率。
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公开(公告)号:CN101085857A
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:CN200710108268.7
申请日:2007-06-07
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0035 , H01L21/3122 , H01L51/0039 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/009 , H01L51/5088 , Y02E10/549 , Y10T428/31504 , Y10T428/31855
Abstract: 提供一种导电聚合物组合物,其包括导电聚合物和离子共轭聚合物。该导电聚合物组合物除了包括导电聚合物以外还包括具有共轭结构的离子共轭聚合物,因此可提高空穴注入和传输能力。此外,可通过化学调节离子共轭聚合物的主链,容易地调节电离电位和功函。另外,该导电聚合物组合物可溶解在水、醇或极性有机溶剂内,由此使得能够进行溶液方法并使得旋涂更容易。
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公开(公告)号:CN107004742B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201580060377.9
申请日:2015-10-22
Applicant: 斯坦雷电气株式会社 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: H01L51/0082 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L51/0081
Abstract: 一种半导体发光元件,所述半导体发光元件具有第一发光层和第二发光层。第一发光层具有:基底层,所述基底层具有多个基底区段,所述多个基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分,所述基底区段被分割成随机网格图案;以及第一量子阱结构层,所述第一量子阱结构层保留了所述多个基底区段的区段形状,并且包括形成在基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述第二发光层具有:第二量子阱结构层,所述第二量子阱结构层包括至少一个量子阱层和多个势垒层,所述多个势垒层具有与所述第一量子阱结构层中的至少一个势垒层不同的组分;以及槽,所述槽在所述多个势垒层中最靠近所述第一发光层侧的端部势垒层的表面上,保留了所述区段形状。
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公开(公告)号:CN103325952A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310278282.7
申请日:2013-07-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L27/3211 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0058 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/0085 , H01L51/0097 , H01L51/5096 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种OLED器件及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域,可以简化OLED器件的生产流程,降低生产成本,提高产品质量。包括:第一电极,第二电极、有机薄膜层;所述有机薄膜层包括空穴层、电子层以及位于所述空穴层和所述电子层之间的包括有机发光层,所述有机薄膜层还包括空穴阻挡层。所述有机发光层包括第一发光单元,第二发光单元,第三发光单元。所述空穴阻挡层和所述第三发光单元通过一次构图工艺形成。本发明适用于制造显示面板。
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公开(公告)号:CN102686675A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201080058721.8
申请日:2010-12-01
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08L101/12 , C08K5/00 , C09K11/06 , H01B1/12
CPC classification number: H01B1/125 , C08G2261/135 , C08G2261/143 , C08G2261/1452 , C08G2261/3223 , C08G2261/76 , C08G2261/794 , C08K5/3445 , C08K2201/001 , C08L65/00 , H01L51/0037 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H05B33/12 , C08L25/18
Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物、导电聚合物组合物、导电聚合物组合物层和使用其的有机光电装置。所述导电聚合物可由化学通式1表示。以上化学通式1与说明书中定义的相同。使用所述导电聚合物,实现了具有优异的发光效率和寿命特性的有机光电装置。
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公开(公告)号:CN101128561B
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN200680006231.7
申请日:2006-02-23
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L51/0062 , C07D263/32 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1033 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0065 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种发光元件材料,其特征在于,含有下述通式(1)表示的芘化合物,(R1~R10为特定的官能团,其中,R1~R10中的至少1个为下述通式(2)表示的取代基)(R11~R14为特定的官能团,其中,R11~R14中的任一个可用于与芘骨架形成单键,X1为下述通式(3)表示的基团、Y1~Y4选自氮、碳原子;其中,Y1~Y4中的至少1个为氮原子、且至少1个为碳原子,为氮原子时,氮原子上不存在取代基)(R15为特定的官能团)。利用该发光材料可提供具有高发光效率和优良耐久性的发光元件。
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公开(公告)号:CN100505377C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN02819165.X
申请日:2002-08-23
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0079 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
Abstract: 提供了具有阻挡层的发光元件,所述阻挡层含有一种或多种金属配合物。所述阻挡层可用以阻挡电子、空穴和激子。优选,所述元件还包括一个单独的发射层,其中有电荷和/或激子被限制在其中。通过比较本发明元件中相邻层所含材料的HOMO和LUMO选择适用于阻挡层的金属配合物。
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公开(公告)号:CN108129504A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201810051381.4
申请日:2018-01-19
Applicant: 安徽工业大学
CPC classification number: C07F5/069 , C07B2200/13 , C07F5/003 , C09K11/06 , C09K2211/186 , C09K2211/188 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/5012
Abstract: 本发明公开了一种具有四核结构的8-羟基喹啉配合物的制备方法及其应用,属于金属-有机配位化学技术领域。本发明制备方法具体步骤是:将有机配体(E,E')-2,2-(1,3-二乙烯基苯基)双-8-乙酰氧基喹哪啶溶解于N,N-二甲基甲酰胺和甲醇,然后加入金属铝或者镓盐的水溶液,将得到的混合溶液置于密封的容器中,30~80℃反应至晶态产物析出,用甲醇洗涤产物,烘干。本发明制备出的两种8-羟基喹啉金属配合物具有良好的荧光性能,在制备发光器件等应用方面具有潜在的经济价值。此外,本发明提供的发光材料制备方法简单,原料来源广泛,可实现大规模生产,具有广阔的商业化前景。
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