半导体发光元件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107004742B

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201580060377.9

    申请日:2015-10-22

    Abstract: 一种半导体发光元件,所述半导体发光元件具有第一发光层和第二发光层。第一发光层具有:基底层,所述基底层具有多个基底区段,所述多个基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分,所述基底区段被分割成随机网格图案;以及第一量子阱结构层,所述第一量子阱结构层保留了所述多个基底区段的区段形状,并且包括形成在基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述第二发光层具有:第二量子阱结构层,所述第二量子阱结构层包括至少一个量子阱层和多个势垒层,所述多个势垒层具有与所述第一量子阱结构层中的至少一个势垒层不同的组分;以及槽,所述槽在所述多个势垒层中最靠近所述第一发光层侧的端部势垒层的表面上,保留了所述区段形状。

Patent Agency Ranking