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公开(公告)号：CN109655771A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710941542.2
申请日：2017-10-11
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: G01R33/16
Abstract: 本发明提供了一种交流磁化率测量装置，包括：激励线圈，其用于在通电状态下产生激励磁场；位于所述激励线圈内部的霍尔传感器，所述霍尔传感器包括两个电流输入端和两个电压输出端，所述两个电流输入端中的偏置电流的方向平行于所述激励线圈内部的激励磁场的方向；第一信号发生器，用于给所述激励线圈提供第一频率的交流激励；第二信号发生器，其输出端连接至所述霍尔传感器的两个电流输入端，用于给所述霍尔传感器提供第二频率的交流激励；锁相放大器，测量所述霍尔传感器的电压输出信号；以及第三信号发生器为所述锁相放大器提供第三频率参考信号。本发明的交流磁化率测量装置在低频下具有测量精度高、信噪比高等优异性能。
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公开(公告)号：CN109655771B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710941542.2
申请日：2017-10-11
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: G01R33/16
Abstract: 本发明提供了一种交流磁化率测量装置，包括：激励线圈，其用于在通电状态下产生激励磁场；位于所述激励线圈内部的霍尔传感器，所述霍尔传感器包括两个电流输入端和两个电压输出端，所述两个电流输入端中的偏置电流的方向平行于所述激励线圈内部的激励磁场的方向；第一信号发生器，用于给所述激励线圈提供第一频率的交流激励；第二信号发生器，其输出端连接至所述霍尔传感器的两个电流输入端，用于给所述霍尔传感器提供第二频率的交流激励；锁相放大器，测量所述霍尔传感器的电压输出信号；以及第三信号发生器为所述锁相放大器提供第三频率参考信号。本发明的交流磁化率测量装置在低频下具有测量精度高、信噪比高等优异性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987026A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710408213.1
申请日：2017-06-02
Applicant: 中国科学院物理研究所
CPC classification number: H01F1/42 , C09K5/14 , C30B7/04 , C30B29/54 , H01F41/0253
Abstract: 本发明提供了一种基于分子磁体的低温磁制冷材料，及其制备方法和应用。分子磁体[Mn3O(Et-sao)3(ClO4)(OH)3]以其较低的阻塞温度和良好的空气稳定性，可以应用于液氦温区的磁制冷；其次，通过控制外加磁场，使分子磁体[Mn3O(Et-sao)3(ClO4)(OH)3]在特征温度TO附近，分别表现出正常磁热效应或反磁热效应，可以大大提高磁制冷循环的效率。也可利用分子磁体[Mn3O(Et-sao)3(ClO4)(OH)3]的反磁热效应，用做热沉来冷却常规磁制冷材料的磁化发热。
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公开(公告)号：CN102539339A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210003491.6
申请日：2012-01-06
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器，用于探测来自太赫兹波辐射源的太赫兹波，所述太赫兹波探测器包括：衬底；和附着在所述衬底上的超导材料薄膜；其中，所述超导材料薄膜为单条以曲折且紧凑的方式在所述衬底上延伸的长程线条型结构；所述超导材料薄膜在工作过程中处于其超导转变温区内并接受待探测太赫兹波的直接照射，并且通过所述超导材料薄膜吸收太赫兹波的热辐射而使电阻发生显著变化来探测所述太赫兹波。本发明的太赫兹波探测器灵敏度及信噪比高、噪声等效功率低，结构简单、稳定性好；特别适合探测低功率、束斑大的太赫兹波辐射源。
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公开(公告)号：CN108987026B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201710408213.1
申请日：2017-06-02
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于分子磁体的低温磁制冷材料，及其制备方法和应用。分子磁体[Mn3O(Et‑sao)3(ClO4)(OH)3]以其较低的阻塞温度和良好的空气稳定性，可以应用于液氦温区的磁制冷；其次，通过控制外加磁场，使分子磁体[Mn3O(Et‑sao)3(ClO4)(OH)3]在特征温度TO附近，分别表现出正常磁热效应或反磁热效应，可以大大提高磁制冷循环的效率。也可利用分子磁体[Mn3O(Et‑sao)3(ClO4)(OH)3]的反磁热效应，用做热沉来冷却常规磁制冷材料的磁化发热。
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公开(公告)号：CN102539339B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210003491.6
申请日：2012-01-06
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器，用于探测来自太赫兹波辐射源的太赫兹波，所述太赫兹波探测器包括：衬底；和附着在所述衬底上的超导材料薄膜；其中，所述超导材料薄膜为单条以曲折且紧凑的方式在所述衬底上延伸的长程线条型结构；所述超导材料薄膜在工作过程中处于其超导转变温区内并接受待探测太赫兹波的直接照射，并且通过所述超导材料薄膜吸收太赫兹波的热辐射而使电阻发生显著变化来探测所述太赫兹波。本发明的太赫兹波探测器灵敏度及信噪比高、噪声等效功率低，结构简单、稳定性好；特别适合探测低功率、束斑大的太赫兹波辐射源。
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公开(公告)号：CN202421055U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201220005875.7
申请日：2012-01-06
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹波探测器，用于探测来自太赫兹波辐射源的太赫兹波，所述太赫兹波探测器包括：衬底；附着在所述衬底上的超导材料薄膜，所述超导材料薄膜为单条以曲折且紧凑的方式在所述衬底上延伸的长程线条型结构；低温恒温器，所述低温恒温器容纳所述衬底和超导材料薄膜并能够提供使得所述超导材料薄膜处于超导转变温区的温度；其中，所述低温恒温器设有窗口，待探测的太赫兹波能够穿过所述窗口照射到所述超导材料薄膜上；和探测电路，所述探测电路连接在所述长程线条型结构的超导材料薄膜的两端。本实用新型的太赫兹波探测器灵敏度及信噪比高、噪声等效功率低，结构简单、稳定性好；特别适合探测低功率、束斑大的太赫兹波辐射源。
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