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公开(公告)号：CN115485816B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202180032421.0
申请日：2021-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/08 , C23C16/44 , H01L21/31
Abstract: 成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。
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公开(公告)号：CN111748787A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010200947.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。
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公开(公告)号：CN116065139B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202211326911.4
申请日：2022-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高形成金属膜的区域的选择性。成膜方法包括下述(A)～(C)。(A)准备在表面具有含硼的第一膜、以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。(B)对所述基板的所述表面供给含卤素和卤素以外的元素X的原料气体。(C)对所述基板的所述表面供给等离子体化后的包含氧的反应气体。在所述成膜方法中，通过交替地进行所述原料气体的供给和所述等离子体化后的所述反应气体的供给，来相对于所述第一膜选择性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三模是所述元素X的氧化膜。
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公开(公告)号：CN111748788B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010201549.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。
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公开(公告)号：CN115485816A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032421.0
申请日：2021-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/08 , C23C16/44 , H01L21/31
Abstract: 成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110273138A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910198410.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置，能够减少压力计的更换频度。一个实施方式的成膜装置的清洗方法是具有处理容器和压力计的成膜装置的清洗方法，其中，该处理容器用于收容基板并且形成减压气氛来进行成膜处理，该压力计用于对处理容器内的压力进行监视，在所述成膜装置的清洗方法中，向实施了所述成膜处理的所述处理容器内和所述压力计供给用于将在所述成膜处理中形成的膜去除的清洗气体。
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公开(公告)号：CN111463096B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010038164.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
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公开(公告)号：CN116065139A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211326911.4
申请日：2022-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高形成金属膜的区域的选择性。成膜方法包括下述(A)～(C)。(A)准备在表面具有含硼的第一膜、以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。(B)对所述基板的所述表面供给含卤素和卤素以外的元素X的原料气体。(C)对所述基板的所述表面供给等离子体化后的包含氧的反应气体。在所述成膜方法中，通过交替地进行所述原料气体的供给和所述等离子体化后的所述反应气体的供给，来相对于所述第一膜选择性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三模是所述元素X的氧化膜。
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公开(公告)号：CN110273138B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910198410.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置，能够减少压力计的更换频度。一个实施方式的成膜装置的清洗方法是具有处理容器和压力计的成膜装置的清洗方法，其中，该处理容器用于收容基板并且形成减压气氛来进行成膜处理，该压力计用于对处理容器内的压力进行监视，在所述成膜装置的清洗方法中，向实施了所述成膜处理的所述处理容器内和所述压力计供给用于将在所述成膜处理中形成的膜去除的清洗气体。
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公开(公告)号：CN114245934A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202080056685.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。
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