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公开(公告)号：CN113053725A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011476465.6
申请日：2020-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及膜形成方法和膜形成装置。[课题]提供可以形成大粒径的多晶硅膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法具备如下工序：在基底上形成依次层叠有界面层、主体层和表面层的层叠膜的工序；和，对前述层叠膜进行结晶处理的工序，前述主体层在前述进行结晶处理的工序中由比前述界面层还容易结晶的膜形成，前述表面层在前述进行结晶处理的工序中由比前述主体层还容易结晶的膜形成。
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公开(公告)号：CN1794421A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510132170.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调阀的上流，具有与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路。配置有压力控制机构，在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN111463096B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010038164.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
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公开(公告)号：CN114245934A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202080056685.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。
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公开(公告)号：CN111463096A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010038164.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183535B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410228924.7
申请日：2014-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02592 , H01L21/02645 , H01L21/02667
Abstract: 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。
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公开(公告)号：CN118737812A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410332135.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够减少硅膜中包含的缺陷。本公开的一个方式的成膜方法用于在基板进行硅膜的成膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板同时供给硅烷系气体和封端气体，所述封端气体包含电负性比氢的电负性小的元素，进行所述同时供给的工序包括：利用所述元素来将所述硅膜中的硅的悬键进行封端。
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公开(公告)号：CN1794421B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510132170.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调阀的上流，具有与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路。配置有压力控制机构，在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN117888192A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311286795.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种抑制硅化镍的聚集的技术。根据本公开的一个方式的成膜方法，具有如下工序：准备表面具有非晶硅膜的基板；向所述非晶硅膜供给镍原料气体，并使镍扩散到所述非晶硅膜中；以及加热所述非晶硅膜，通过以扩散到所述非晶硅膜中的所述镍为核的金属诱导横向结晶化，使所述非晶硅膜结晶化来形成多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN111748787A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010200947.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。
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