公开(公告)号：CN111793790A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010218432.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兼村瑠威 ,  竹泽由裕 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。

公开(公告)号：CN111748787A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010200947.2

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹泽由裕 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介 ,  林宽之 ,  铃木大介 ,  兼村瑠威 ,  藤田成树

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。

公开(公告)号：CN110189982A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910126154.8

申请日：2019-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林宽之 ,  兼村瑠威 ,  高木聪 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及膜形成方法和基板处理装置。[课题]提供能形成具有良好的表面粗糙度的膜的膜形成方法。[解决方案]一实施方式的膜形成方法具备如下工序：有机物去除工序，向基底供给含氢气体和含氧气体，将有机物去除，所述有机物附着于在前述基底的表面产生的氧化膜；氧化膜去除工序，在前述有机物去除工序后，向前述基底供给含卤素气体和碱性气体，将形成于前述基底的表面的氧化膜去除；和，成膜工序，在前述氧化膜去除工序后，在前述基底的表面成膜为规定的膜。

公开(公告)号：CN111793790B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202010218432.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兼村瑠威 ,  竹泽由裕 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。

公开(公告)号：CN111519167A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010074928.X

申请日：2020-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本山丰 ,  兼村瑠威

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供排气装置、处理系统和处理方法。本发明的一方式的排气装置包括：设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部；设置于上述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部；设置于上述第1压力调节部的上游侧的第1真空计；和设置于上述第1压力调节部与上述第2压力调节部之间的第2真空计。本发明能够减小处理装置间的机器误差。