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公开(公告)号：CN111696851A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010130587.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及成膜方法和热处理装置。[课题]提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，在通过前述热处理形成的前述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。
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公开(公告)号：CN111197179A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911071261.1
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。[课题]提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。[解决方案]本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对前述基板在第1温度下进行热处理，在前述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；在形成前述晶核后，将前述覆盖层去除的工序；和，对去除了前述覆盖层的前述基板在前述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使前述晶核生长的工序。
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公开(公告)号：CN104947075B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510131832.1
申请日：2015-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4401 , C23C16/45546 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供立式热处理装置的运转方法和立式热处理装置。该立式热处理装置的运转方法是运转立式热处理装置的方法，该立式热处理装置使被加热机构包围的立式的反应管内成为真空气氛后，向所述反应管内的基板供给成膜用的气体而进行成膜处理，其中，该热处理装置的运转方法包括以下工序：将以搁板状保持有多个基板的基板保持件搬入到所述反应管内，对所述基板进行成膜处理；从所述反应管搬出所述基板保持件；以及向所述反应管内搬入冷却用的器具而将所述反应管的内壁冷却，利用热应力使附着在该内壁上的薄膜剥离，并且利用热泳将该薄膜捕集在所述冷却用的器具上。
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公开(公告)号：CN105316656A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510450869.0
申请日：2015-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置具备：分别限定性地向沿着基板保持件中的基板的排列方向的第一和第二基板保持区域供给原料气体的第一原料气体供给部和第二原料气体供给部、向第一和第二基板保持区域供给反应气体的反应气体供给部、在第一和第二基板保持区域中的某一方被供给原料气体时向另一方供给吹扫气体的吹扫气体供给部、在基板保持件中被保持在第一基板保持区域与第二基板保持区域之间且划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域的划分用基板、以及输出控制信号使得将包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环分别进行多次的控制部。
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公开(公告)号：CN104947080A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510138216.9
申请日：2015-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供使用气体喷嘴的成膜装置。该成膜装置包括：第1和第2原料气体喷嘴，分别在与基板之间的间隙对应的高度位置形成有朝向基板的中央部喷出原料气体的多个气体喷出孔；向反应容器内供给反应气体的反应气体供给部；第1和第2原料气体供给路径，分别与第1和第2原料气体喷嘴相连接；第1和第2罐，分别设于第1和第2原料气体供给路径的中途，以升压了的状态储存原料气体；设于第1和第2罐的上游侧和下游侧的阀；对反应容器内进行真空排气的排气口，在排列有基板的高度区域中的、排列方向上的中央的高度区域配置有第1和第2原料气体喷嘴这两者的气体喷出孔，在中央的高度区域以外配置有第1和第2原料气体喷嘴中的至少一者的气体喷出孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104947075A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510131832.1
申请日：2015-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4401 , C23C16/45546 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供立式热处理装置的运转方法和立式热处理装置。该立式热处理装置的运转方法是运转立式热处理装置的方法，该立式热处理装置使被加热机构包围的立式的反应管内成为真空气氛后，向所述反应管内的基板供给成膜用的气体而进行成膜处理，其中，该热处理装置的运转方法包括以下工序：将以搁板状保持有多个基板的基板保持件搬入到所述反应管内，对所述基板进行成膜处理；从所述反应管搬出所述基板保持件；以及向所述反应管内搬入冷却用的器具而将所述反应管的内壁冷却，利用热应力使附着在该内壁上的薄膜剥离，并且利用热泳将该薄膜捕集在所述冷却用的器具上。
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公开(公告)号：CN101819918A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010102641.X
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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公开(公告)号：CN111696851B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010130587.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及成膜方法和热处理装置。[课题]提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，在通过前述热处理形成的前述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。
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公开(公告)号：CN111519167A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010074928.X
申请日：2020-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供排气装置、处理系统和处理方法。本发明的一方式的排气装置包括：设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部；设置于上述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部；设置于上述第1压力调节部的上游侧的第1真空计；和设置于上述第1压力调节部与上述第2压力调节部之间的第2真空计。本发明能够减小处理装置间的机器误差。
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公开(公告)号：CN106409718A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510461147.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67098
Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法，在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时，能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括：气体供给部，其用于向反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且，气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件，第1板状构件具有第1表面积，第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。
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