公开(公告)号：CN113355652A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110193603.8

申请日：2021-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木幸二 ,  铃木启介 ,  长谷川智也

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法。提供：可以以高生产率形成均匀性良好的氧化硅膜的技术。本公开的一方式的成膜方法为在处理容器内同时在多张基板上形成氧化硅膜的成膜方法，所述成膜方法执行包括如下步骤的多次循环：向前述处理容器内供给包含有机氨基官能化低聚硅氧烷化合物的硅原料气体的步骤；和，向调整为1～10Torr(133～1333Pa)的压力的前述处理容器内供给氧化气体的步骤。

公开(公告)号：CN109950177A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811563933.6

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木镰英司 ,  岛裕巳 ,  高京硕 ,  菱屋晋吾 ,  铃木启介 ,  城俊彦 ,  板桥贤 ,  小川悟

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。

公开(公告)号：CN102956447B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210285230.8

申请日：2012-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器，其中，该半导体装置还包括：第1电极，其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状；电介质膜，其形成于上述第1电极的至少侧面上；第2电极，其形成于上述电介质膜上；支承膜，其由添加有硼的氮化硅膜形成，该支承膜沿与具有上述柱状形状的上述第1电极的长度方向相交叉的方向延伸，贯穿上述第2电极的至少一部分且将上述第1电极连结起来，利用该半导体装置能够解决本发明的问题。

公开(公告)号：CN102828163A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210199232.5

申请日：2012-06-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  森良孝

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置。该成膜方法是向收纳被处理体W且可抽真空的处理容器内供给含硼气体、氮化气体、硅烷系气体和烃气体，在被处理体的表面上形成含有硼、氮、硅和碳的薄膜的成膜方法，具有：第1工序，进行1次以上交替间歇地供给含硼气体和氮化气体的循环而形成BN膜；第2工序，进行1次以上间歇地供给硅烷系气体、烃气体和氮化气体的循环而形成SiCN膜。由此，形成实现了低介电常数化、湿式蚀刻耐性的提高以及漏电流减少化的含硼、氮、硅和碳的薄膜。

公开(公告)号：CN109727843A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811286392.7

申请日：2018-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高京硕 ,  岛裕巳 ,  木镰英司 ,  铃木启介 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/40117

Abstract: 本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。

公开(公告)号：CN104928647A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510117064.4

申请日：2015-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  村上博纪 ,  菱屋晋吾 ,  门永健太郎 ,  小幡穣

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。在成膜方法中，在真空气氛中形成含有掺杂元素的薄膜，其包括以下工序：吸附工序，自原料气体供给部向成为真空气氛的处理容器内供给原料气体并使该原料气体的原料吸附在基板上；掺杂工序，多次重复自掺杂气体供给部向处理容器内供给含有掺杂元素的掺杂气体并将掺杂气体封闭在处理容器内的步骤和对处理容器内进行真空排气的步骤；供给工序，自反应气体供给部向处理容器内供给用于与原料发生反应而生成反应生成物的反应气体；以及置换工序，该置换工序是在各工序之间进行的，置换处理容器内的气氛，一边使防逆流用气体自原料气体供给部、掺杂气体供给部及反应气体供给部向处理容器内流动，一边进行掺杂工序。

公开(公告)号：CN102097302B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201010566113.X

申请日：2010-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  铃木启介 ,  张宰赫 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。

公开(公告)号：CN102956447A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210285230.8

申请日：2012-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器，其中，该半导体装置还包括：第1电极，其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状；电介质膜，其形成于上述第1电极的至少侧面上；第2电极，其形成于上述电介质膜上；支承膜，其由添加有硼的氮化硅膜形成，该支承膜沿与具有上述柱状形状的上述第1电极的长度方向相交叉的方向延伸，贯穿上述第2电极的至少一部分且将上述第1电极连结起来，利用该半导体装置能够解决本发明的问题。

公开(公告)号：CN113355652B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202110193603.8

申请日：2021-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木幸二 ,  铃木启介 ,  长谷川智也

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法。提供：可以以高生产率形成均匀性良好的氧化硅膜的技术。本公开的一方式的成膜方法为在处理容器内同时在多张基板上形成氧化硅膜的成膜方法，所述成膜方法执行包括如下步骤的多次循环：向前述处理容器内供给包含有机氨基官能化低聚硅氧烷化合物的硅原料气体的步骤；和，向调整为1～10Torr(133～1333Pa)的压力的前述处理容器内供给氧化气体的步骤。

公开(公告)号：CN109727843B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201811286392.7

申请日：2018-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高京硕 ,  岛裕巳 ,  木镰英司 ,  铃木启介 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: [课题]本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。[解决方案]在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。