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公开(公告)号：CN109727843B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811286392.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: [课题]本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。[解决方案]在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN113496914A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110261355.6
申请日：2021-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和清洁方法。提供一种能够选择性地清洁喷射器的内部的技术。本公开的一个方式的基板处理装置具有：处理容器，其容纳基板；喷射器，其包括第1连接口和第2连接口，内部与所述处理容器内连通；排气管，其供所述处理容器内排气；原料气体导入管，其与所述第1连接口连接，向所述喷射器内导入原料气体；清洁气体导入管，其经由所述第1连接口和所述第2连接口中的一者向所述喷射器内导入清洁气体；以及通气管，其连接所述第1连接口和所述第2连接口中的另一者与所述排气管，供所述喷射器内排气。
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公开(公告)号：CN102263027A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110141591.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02159 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。
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公开(公告)号：CN114388413A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111176584.4
申请日：2021-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 本公开提供一种舟搬入方法和热处理装置，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。
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公开(公告)号：CN104928647B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510117064.4
申请日：2015-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45529 , C23C16/45531
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。在成膜方法中,在真空气氛中形成含有掺杂元素的薄膜,其包括以下工序:吸附工序,自原料气体供给部向成为真空气氛的处理容器内供给原料气体并使该原料气体的原料吸附在基板上;掺杂工序,多次重复自掺杂气体供给部向处理容器内供给含有掺杂元素的掺杂气体并将掺杂气体封闭在处理容器内的步骤和对处理容器内进行真空排气的步骤;供给工序,自反应气体供给部向处理容器内供给用于与原料发生反应而生成反应生成物的反应气体;以及置换工序,该置换工序是在各工序之间进行的,置换处理容器内的气氛,边使防逆流用气体自原料气体供给部、掺杂气体供给部及反应气体供给部向处理容器内流动,边进行掺杂工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102263027B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110141591.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02159 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。
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公开(公告)号：CN100372076C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN01822329.X
申请日：2001-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02046 , C30B33/00 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02301 , H01L21/02312 , H01L21/31138 , H01L21/31662 , H01L21/67109
Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。
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公开(公告)号：CN110284120B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201910207469.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。
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公开(公告)号：CN109950177A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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公开(公告)号：CN109509698A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811062556.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/11563
Abstract: 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。
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