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公开(公告)号：CN109950177B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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公开(公告)号：CN102162089B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110039021.0
申请日：2011-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/4408 , C23C16/4554
Abstract: 本发明提供一种成膜方法、成膜装置和成膜装置的使用方法，该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理，该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜，该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下，不穿插用于除去堆积于上述处理容器内的膜的处理就一边对上述处理容器内进行排气一边对上述堆积的膜实施氧化。
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公开(公告)号：CN109727843B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811286392.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: [课题]本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。[解决方案]在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN102162089A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110039021.0
申请日：2011-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/4408 , C23C16/4554
Abstract: 本发明提供一种成膜方法、成膜装置和成膜装置的使用方法，该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理，该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜，该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下，不穿插用于除去堆积于上述处理容器内的膜的处理就一边对上述处理容器内进行排气一边对上述堆积的膜实施氧化。
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公开(公告)号：CN109950177A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109509698A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811062556.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/11563
Abstract: 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN109509698B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201811062556.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN113745127A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110544014.X
申请日：2021-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够使处理的面内均匀性提高的技术。本公开的一技术方案所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体喷嘴，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，在内部形成气体流路；以及气体喷出部，其设于所述处理容器之上，与所述气体流路连通，对自所述气体喷嘴导入的气体进行分配并将其自所述处理容器的外周部喷出。
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公开(公告)号：CN109727843A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811286392.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/32105 , H01L21/67011 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L23/53295 , H01L27/11582 , H01L29/40117
Abstract: 本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN306630276S
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202030693774.3
申请日：2020-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：用于半导体制造装置的反应管。
2.本外观设计产品的用途：在半导体制造的成膜过程中，设置在成膜装置内并使产品晶圆与气体反应，如各设计的使用状态参考图所示。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1主视图。
5.指定设计1为基本设计。
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