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公开(公告)号：CN102097302B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010566113.X
申请日：2010-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。
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公开(公告)号：CN105296962B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510289067.6
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C30B25/14 , C30B29/18
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。成膜装置包括：真空容器；以及旋转台，其设于该真空容器内。另外，成膜装置包括：凹部，其以能收纳所述基板的方式形成于所述旋转台的一面侧；以及载置部，其用于在该凹部内对基板的比周缘部靠中央的部位进行支承。成膜装置还包括：连通路径，其以在凹部的自凹部的中央看来位于与所述旋转台的中心相反的一侧的端部区域将所述旋转台的外侧的空间和所述凹部内的位于载置部的周围的空间相连通的方式形成于该凹部的壁部，以便将在因所述旋转台的旋转而产生的离心力的作用下在所述凹部内偏向于所述旋转台的外周侧的气体排出；以及排气口，其用于对其所述真空容器内进行真空排气。
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公开(公告)号：CN101962756A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010236459.3
申请日：2010-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/45525 , C23C16/45557 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608
Abstract: 本发明提供半导体处理用的成批CVD方法及装置。该成批CVD方法反复进行具有吸附工序、反应工序和除去残留气体的工序的循环。吸附工序这样地进行：通过在最初的第1期间内使原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，向处理容器内供给原料气体，通过将反应气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给反应气体，将排气阀维持在关闭状态，不对处理容器内进行排气。反应工序这样地进行：将原料气体阀维持在关闭状态，不向处理容器内供给原料气体，使反应气体阀为打开状态，向处理容器内供给反应气体，通过将排气阀自规定的打开状态逐渐减小阀门开度，对处理容器内进行排气。
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公开(公告)号：CN102242350A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110126549.1
申请日：2011-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1氧化气体和第2氧化气体构成的气体，该第1氧化气体由O2气体和O3气体中的至少一种气体构成，该第2氧化气体由H2O气体和H2O2气体中的至少一种气体构成。
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公开(公告)号：CN1794421A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510132170.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调阀的上流，具有与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路。配置有压力控制机构，在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106906454A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610966565.4
申请日：2016-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使旋转台旋转，而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域，由此在基板上成膜，其包括：凹部，其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个，形成为分别收纳所述基板；载置部，其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位；槽部，其为环状，形成为在所述凹部内包围所述载置部；连通路，其包括连通槽或连通孔，该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域；以及排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气。
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公开(公告)号：CN102097302A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010566113.X
申请日：2010-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。
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公开(公告)号：CN102080219A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010568506.4
申请日：2010-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/34 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45546
Abstract: 本发明提供一种立式成膜装置及其使用方法。该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内，进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理，接着，在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内，进行在产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理。在覆膜处理中，将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内且均不将第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到处理容器内。在成膜处理中，一边利用等离子体生成系统将第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化而供给到处理容器内一边将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内。
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公开(公告)号：CN102610518B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110430826.8
申请日：2011-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , G03F7/40
CPC classification number: H01L21/0337 , C23C8/36 , H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67109 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供含碳薄膜的宽度减小方法及氧化装置。该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序：输入工序，其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入；宽度减小工序，其用于一边向处理容器内供给水分一边利用氧化气体对含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面，由此，使图案的凸部的宽度减小。
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公开(公告)号：CN105296962A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510289067.6
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C30B25/14 , C30B29/18
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45548 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。成膜装置包括：真空容器；以及旋转台，其设于该真空容器内。另外，成膜装置包括：凹部，其以能收纳所述基板的方式形成于所述旋转台的一面侧；以及载置部，其用于在该凹部内对基板的比周缘部靠中央的部位进行支承。成膜装置还包括：连通路径，其以在凹部的自凹部的中央看来位于与所述旋转台的中心相反的一侧的端部区域将所述旋转台的外侧的空间和所述凹部内的位于载置部的周围的空间相连通的方式形成于该凹部的壁部，以便将在因所述旋转台的旋转而产生的离心力的作用下在所述凹部内偏向于所述旋转台的外周侧的气体排出；以及排气口，其用于对其所述真空容器内进行真空排气。
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