公开(公告)号：CN110233096B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201910142632.4

申请日：2019-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  宫原达也 ,  藤田圭介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。

公开(公告)号：CN110349881A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910221470.3

申请日：2019-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川大海 ,  板桥贤 ,  高木聪 ,  渡边将久 ,  藤田圭介 ,  宫原达也 ,  林宽之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。

公开(公告)号：CN111793790A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010218432.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兼村瑠威 ,  竹泽由裕 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。

公开(公告)号：CN110233096A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910142632.4

申请日：2019-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  宫原达也 ,  藤田圭介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。

公开(公告)号：CN111793790B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202010218432.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兼村瑠威 ,  竹泽由裕 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。

公开(公告)号：CN114245934A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202080056685.5

申请日：2020-08-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹泽由裕 ,  铃木大介 ,  林宽之 ,  宫原达也 ,  藤田圭介 ,  及川大海 ,  藤田成树

IPC: H01L21/67 ,  B08B5/02 ,  B08B7/00 ,  B08B9/08 ,  B08B9/093 ,  B08B9/027 ,  B08B9/032

Abstract: 本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。

公开(公告)号：CN108239766B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201711431130.0

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木聪 ,  小森克彦 ,  冈田充弘 ,  渡边将久 ,  高桥和也 ,  矢野一纪 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/205

Abstract: 成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。

公开(公告)号：CN111748788A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010201549.2

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林宽之 ,  藤田成树 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。

公开(公告)号：CN111748787A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010200947.2

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹泽由裕 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介 ,  林宽之 ,  铃木大介 ,  兼村瑠威 ,  藤田成树

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。

公开(公告)号：CN111748788B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202010201549.2

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林宽之 ,  藤田成树 ,  熊谷圭太 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。