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公开(公告)号：CN114108084A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110942163.1
申请日：2021-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供使硅膜适当地结晶并使结晶成长的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在保持工序中保持的基片供给含金属的溶液，使金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在硅膜的表面。
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公开(公告)号：CN118737812A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410332135.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够减少硅膜中包含的缺陷。本公开的一个方式的成膜方法用于在基板进行硅膜的成膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板同时供给硅烷系气体和封端气体，所述封端气体包含电负性比氢的电负性小的元素，进行所述同时供给的工序包括：利用所述元素来将所述硅膜中的硅的悬键进行封端。
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公开(公告)号：CN111793790A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010218432.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。
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公开(公告)号：CN117888192A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311286795.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种抑制硅化镍的聚集的技术。根据本公开的一个方式的成膜方法，具有如下工序：准备表面具有非晶硅膜的基板；向所述非晶硅膜供给镍原料气体，并使镍扩散到所述非晶硅膜中；以及加热所述非晶硅膜，通过以扩散到所述非晶硅膜中的所述镍为核的金属诱导横向结晶化，使所述非晶硅膜结晶化来形成多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN111748787A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010200947.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053725A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011476465.6
申请日：2020-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及膜形成方法和膜形成装置。[课题]提供可以形成大粒径的多晶硅膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法具备如下工序：在基底上形成依次层叠有界面层、主体层和表面层的层叠膜的工序；和，对前述层叠膜进行结晶处理的工序，前述主体层在前述进行结晶处理的工序中由比前述界面层还容易结晶的膜形成，前述表面层在前述进行结晶处理的工序中由比前述主体层还容易结晶的膜形成。
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公开(公告)号：CN108220921A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711404461.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45502 , C23C16/45565 , C23C16/458 , C23C16/4583 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , H01L21/67309 , C23C16/45591 , C23C16/45546 , C23C16/45559
Abstract: 成膜装置以及成膜方法。在对沿垂直方向多层地配置的状态的多个基板进行成膜处理时，使膜厚的面内均匀性和覆盖性能良好。成膜装置具有：基板保持构件，其以规定间隔沿垂直方向多层地保持多个被处理基板；处理容器，其收容保持有被处理基板的基板保持构件；处理气体导入构件，其具有对处理容器内的被处理基板平行地喷出处理气体的多个气体喷出孔，来向处理容器内导入处理气体；排气机构，其对处理容器内进行排气；以及多个气流调整构件，该多个气流调整构件分别与被处理基板相向地设置，其中，气流调整构件将从喷出孔对被处理基板平行地喷出的处理气体的气流调整为从位于该气流的下方的被处理基板的上方朝向该被处理基板的表面的气流。
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公开(公告)号：CN101423935A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810179998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度－膜厚－第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。
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公开(公告)号：CN111793790B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010218432.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。
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公开(公告)号：CN111463096B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010038164.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
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