公开(公告)号：CN108242392B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN108242392A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3085 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN113451125A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110294301.X

申请日：2021-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 康松润 ,  津田俊武 ,  关口贤治 ,  米泽周平 ,  香川兴司

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水溶液蚀刻基片的含硼硅膜。

公开(公告)号：CN108220922B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201711274133.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  冈正浩 ,  石川拓 ,  渡部佳优 ,  米泽周平

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28

Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

公开(公告)号：CN116848621A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280012796.5

申请日：2022-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋口伦太郎 ,  中森光则 ,  香川兴司 ,  关口贤治 ,  中林肇 ,  米泽周平

IPC: H01L21/316

Abstract: 基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金属元素。(C)：在所述高介电性膜的表面形成将所述第一金属元素置换为所述第二金属元素而得到的掺杂层。

公开(公告)号：CN108220922A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711274133.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  冈正浩 ,  石川拓 ,  渡部佳优 ,  米泽周平

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28

Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

公开(公告)号：CN118696404A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202280089335.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早川晋 ,  北野淳一 ,  关口贤治 ,  米泽周平 ,  近藤良弘

IPC: H01L21/677

Abstract: 基板处理装置具备基板清洗部、芯片清洗部、芯片贴合部、搬送区域、第一基板搬送臂以及第一框架搬送臂。所述基板清洗部对基板进行清洗。所述芯片清洗部在多个芯片借助带安装于框架的状态下对多个所述芯片进行清洗。所述芯片贴合部对所述基板的主面的不同的贴合区域贴合多个所述芯片。所述搬送区域与所述基板清洗部、所述芯片清洗部以及所述芯片贴合部邻接。所述第一基板搬送臂在所述搬送区域中保持所述基板并搬送所述基板。所述第一框架搬送臂在所述搬送区域中保持所述框架并将多个所述芯片同所述框架一起搬送。所述第一基板搬送臂将所述基板从所述基板清洗部搬送到所述芯片贴合部，所述第一框架搬送臂将多个所述芯片同所述框架一起从所述芯片清洗部搬送到所述芯片贴合部。

公开(公告)号：CN114108084A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110942163.1

申请日：2021-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川兴司 ,  关口贤治 ,  米泽周平 ,  铃木大介 ,  竹泽由裕 ,  松原义久

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/02 ,  C30B1/02 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供使硅膜适当地结晶并使结晶成长的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在保持工序中保持的基片供给含金属的溶液，使金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在硅膜的表面。