公开(公告)号：CN102948255B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201180031181.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  林辉幸

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明提供密封膜形成方法和密封膜形成装置。能够以比以往技术更短的时间及低成本形成抗透湿性较高的密封膜。在用于形成用于密封有机EL元件（12）的密封膜（13）的密封膜形成方法中，在有机EL元件（12）的表面上形成第一无机层（13a），在第一无机层（13a）之上形成碳氢化合物层（13c），通过使碳氢化合物层（13c）软化或熔化而使其平坦化，使碳氢化合物层（13c）固化，使碳氢化合物层（13c）固化后，在碳氢化合物层13c之上形成比第一无机层（13a）厚的第二无机层（13e）。

公开(公告)号：CN102575338A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080038999.9

申请日：2010-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  小野裕司 ,  林辉幸

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3414

Abstract: 本发明提供一种溅射装置。该溅射装置在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理。该溅射装置用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理，该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之间，其中，该溅射装置包括用于对上述一对靶材施加电压的电源、用于向上述溅射空间中供给非活性气体的气体供给部、配置在上述溅射空间和上述基板之间的遮光机构。

公开(公告)号：CN101622693B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880006410.X

申请日：2008-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  村井唯一 ,  森崎英介

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体，通过把一氧化碳分解，在基板上堆积无定形碳，而成膜的步骤。并且理想的是，上部电极是碳电极。

公开(公告)号：CN101919031A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980102550.1

申请日：2009-01-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/042 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835

Abstract: 提供一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜的表面改性处理。

公开(公告)号：CN101548368A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780044435.4

申请日：2007-11-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊地良幸 ,  小林保男 ,  川村刚平 ,  野沢俊久 ,  石川拓

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在较低地抑制相对介电常数的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜和具备该膜的半导体装置、以及成膜非晶碳膜的技术。在成膜时一边控制Si(硅)的添加量一边成膜非晶碳膜。因此，可得到在将相对介电常数抑制在3.3以下的较低值的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜。因而在将该非晶碳膜用作构成半导体装置的膜的情况下，膜脱落等不良情况被抑制。

公开(公告)号：CN108220922A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711274133.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  冈正浩 ,  石川拓 ,  渡部佳优 ,  米泽周平

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28

Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

公开(公告)号：CN102112651B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200980130664.7

申请日：2009-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  西村荣一

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/34 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/318 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/347 ,  C23C16/5096 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有CO气体和N2气体的处理气体的工序，从供给的CO气体和N2气体形成无定形碳氮膜(330)的工序，在膜(330)上形成氧化硅膜(335)的工序，在膜(335)上形成ArF抗蚀剂膜(345)的工序，对ArF抗蚀剂膜(345)进行图案形成的工序，将ArF抗蚀剂膜(345)作为掩膜对氧化硅膜(335)进行蚀刻的工序，将氧化硅膜(335)作为掩膜对无定形碳氮膜(330)进行蚀刻的工序，将无定形碳氮膜(330)作为掩膜对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN102112651A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130664.7

申请日：2009-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  西村荣一

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/34 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/318 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/347 ,  C23C16/5096 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有CO气体和N2气体的处理气体的工序，从供给的CO气体和N2气体形成无定形碳氮膜(330)的工序，在膜(330)上形成氧化硅膜(335)的工序，在膜(335)上形成ArF抗蚀剂膜(345)的工序，对ArF抗蚀剂膜(345)进行图案形成的工序，将ArF抗蚀剂膜(345)作为掩膜对氧化硅膜(335)进行蚀刻的工序，将氧化硅膜(335)作为掩膜对无定形碳氮膜(330)进行蚀刻的工序，将无定形碳氮膜(330)作为掩膜对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN101971322A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980103650.6

申请日：2009-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/26 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036

Abstract: 【课题】置换非晶碳氢膜最外侧表面的官能基。【解决手段】在覆盖有Low-k膜(105)的硅衬底(Sub)上形成非晶碳氢膜(110)。接下来，对非晶碳氢膜(110)进行非硅烷气体气氛中的加热处理。接下来，对刚进行了该加热处理之后的非晶碳氢膜(110)进行在硅烷气体气氛中的加热处理。在该加热处理之后，形成硬掩模等的膜(115)。

公开(公告)号：CN101622698A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006784.1

申请日：2008-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  户部康弘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，所公开的等离子体处理装置具备：容纳被处理体的处理容器；产生微波的微波发生部；将在微波发生部产生的微波导向处理容器的波导路；由导体制成的平面天线，该导体具有将导向波导路的微波向处理容器辐射的多个微波辐射孔；由电介质体制成的微波透过板，其构成处理容器的顶壁，将穿过了平面天线的微波辐射孔的微波透过；向处理容器内导入处理气体的处理气体导入机构；磁场形成部，其设于平面天线的上方，在处理容器内形成磁场，利用该磁场来控制由微波在处理容器内生成的处理气体的等离子体特性。