公开(公告)号：CN102263012A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110127811.4

申请日：2011-05-12

Applicant: 兵库县 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 丰田纪章 ,  山田公 ,  成岛正树 ,  原岛正幸 ,  森崎英介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C30B33/00 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及表面处理方法以及表面处理装置。所述表面处理方法可提高基板等的表面的平坦性。一种表面处理方法，其特征在于，包括以下工序：第一处理工序，产生不包含氮的原料的气体团簇离子束，并将其照射到被处理部件；以及第二处理工序，产生氮的气体团簇离子束，并将其照射到所述被处理部件。通过上述表面处理方法，可解决上述问题。

公开(公告)号：CN101490809A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780025842.0

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  原岛正幸

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，包括：内部维持在减压空间并且处理气体被供给在其中的处理容器；设置在处理容器的内部、用于保持基板的基板保持部；以及由含高熔点金属和碳化合物构成、设置在处理容器的内部、用于对基板进行加热的加热器。

公开(公告)号：CN105308733A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480034510.9

申请日：2014-04-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森崎英介 ,  木元大寿

IPC: H01L21/677 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6875 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: 移载装置(170)包括：支承衬底保持件(40)的支承部(70)；在衬底保持件(40)的衬底保持部(80)能够使衬底升降的升降部件(91)；和遮蔽部件(82)，其随着升降部件(91)的升降而升降，在升降部件(91)接收衬底(W)时介于衬底(W)与升降部件(91)之间，在衬底(W)被衬底保持部(80)保持时，在衬底(W)的背面侧遮蔽衬底保持件(40)的用于插通升降部件(91)的孔(81)。而且，在升降部件(91)上升了的状态下，利用输送装置(201)将衬底(W)载置在遮蔽部件(82)上，或者对遮蔽部件(82)上的衬底(W)进行输送。

公开(公告)号：CN101622693B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880006410.X

申请日：2008-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  村井唯一 ,  森崎英介

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体，通过把一氧化碳分解，在基板上堆积无定形碳，而成膜的步骤。并且理想的是，上部电极是碳电极。

公开(公告)号：CN101490809B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780025842.0

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  原岛正幸

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，包括：内部维持在减压空间并且处理气体被供给在其中的处理容器；设置在处理容器的内部、用于保持基板的基板保持部；以及由含高熔点金属和碳化合物构成、设置在处理容器的内部、用于对基板进行加热的加热器。

公开(公告)号：CN101568993B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780047845.4

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  吉川润 ,  泽田郁夫 ,  木本恒畅 ,  川本典明 ,  明田正俊

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。

公开(公告)号：CN101622693A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006410.X

申请日：2008-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  村井唯一 ,  森崎英介

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体，通过把一氧化碳分解，在基板上堆积无定形碳，而成膜的步骤。并且理想的是，上部电极是碳电极。

公开(公告)号：CN101568993A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047845.4

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  吉川润 ,  泽田郁夫 ,  木本恒畅 ,  川本典明 ,  明田正俊

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。

公开(公告)号：CN301492492S

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201030129416.6

申请日：2010-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 森崎英介 ,  山内准

Abstract: 1.本外观设计产品的名称是：半导体制造机的基座。2.本外观设计产品的用途是：作为薄膜沉积装置，通过感应加热将一薄层沉积在晶片表面上，如参考图所示，本产品设置在一个固定半导体晶片的台上。3.本外观设计的设计要点是：如图所示的产品的形状和结构的特征。4.最能表明本外观设计的设计要点的图片或者照片是：主视图。

公开(公告)号：CN303149323S

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201430345019.0

申请日：2014-09-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 森崎英介 ,  町山弥 ,  小林洋克 ,  原岛正幸 ,  佐野志生

Abstract: 1．本外观设计的产品名称：半导体制造用晶片保持器。2．本外观设计产品的用途：是在半导体制造过程中，通过感应加热方式，在晶片上形成半导体薄膜时使用的晶片保持器。3．本外观设计的设计要点：产品的形状。4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计1立体图。5．指定设计1为四个相似外观设计的基本设计。