公开(公告)号：CN101622693B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880006410.X

申请日：2008-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  村井唯一 ,  森崎英介

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体，通过把一氧化碳分解，在基板上堆积无定形碳，而成膜的步骤。并且理想的是，上部电极是碳电极。

公开(公告)号：CN101622693A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006410.X

申请日：2008-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  村井唯一 ,  森崎英介

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体，通过把一氧化碳分解，在基板上堆积无定形碳，而成膜的步骤。并且理想的是，上部电极是碳电极。