公开(公告)号：CN101568993B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780047845.4

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  吉川润 ,  泽田郁夫 ,  木本恒畅 ,  川本典明 ,  明田正俊

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。

公开(公告)号：CN101568993A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047845.4

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  吉川润 ,  泽田郁夫 ,  木本恒畅 ,  川本典明 ,  明田正俊

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。

公开(公告)号：CN111684607A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980008940.6

申请日：2019-01-10

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 木本恒畅 ,  小林拓真 ,  中野佑纪 ,  明田正俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置包括：具有1.0×1022cm-3以上的碳密度的SiC半导体层，形成于前述SiC半导体层上、且具有与前述SiC半导体层相接的连接面和位于前述连接面相反侧的非连接面的SiO2层，形成于前述SiO2层的前述连接面的表层部、且碳密度朝向前述SiO2层的前述非连接面递减的碳密度递减区域，以及形成于前述SiO2层的前述非连接面的表层部、且具有1.0×1019cm-3以下的碳密度的低碳密度区域。