公开(公告)号：CN118872068A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202280093475.2

申请日：2022-11-28

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置(1A)包括：具有主面(3)的芯片(2)；包含绝缘体且包覆上述主面的第一无机膜(27)；包含绝缘体且包覆上述第一无机膜的第二无机膜(41)；形成于上述第二无机膜的至少一个贯通孔(55)；以及填埋上述贯通孔并包覆上述第二无机膜的有机膜(60)。

公开(公告)号：CN116830262A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280013916.3

申请日：2022-02-03

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  久津间保德

IPC: H01L23/29

Abstract: 宽带隙半导体装置包括：包含宽带隙半导体且具有主面的芯片；配置在上述主面之上的主面电极；以及包含基质树脂及多个填充物且以使上述主面电极的一部分露出的方式包覆上述主面的热固化性树脂。

公开(公告)号：CN115552636A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180035113.3

申请日：2021-05-12

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  上野真弥

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 电子部件包含：覆盖对象；电极，其覆盖所述覆盖对象，并在所述覆盖对象之上具有电极侧壁；无机绝缘膜，其具有以使所述电极侧壁露出的方式覆盖所述电极的内覆盖部；以及有机绝缘膜，其覆盖所述电极侧壁。

公开(公告)号：CN115516644A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180032864.X

申请日：2021-04-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置包括：半导体层，其包含具有第一厚度的半导体基板，且具有主面；主面电极，其配置在上述主面之上，且具有小于上述第一厚度的第二厚度；以及焊盘电极，其配置在上述主面电极之上，且具有超过上述第一厚度的第三厚度。

公开(公告)号：CN115207085A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210704634.X

申请日：2014-03-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，当导通时在所述栅极沟槽的侧部形成沟道，所述外周部具有配置在所述栅极沟槽的深度以上的深度位置的半导体表面，进一步包含耐压构造，其具有形成在所述外周部的所述半导体表面的第2导电型的半导体区域。

公开(公告)号：CN113178481A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110280848.4

申请日：2014-03-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN111684607A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980008940.6

申请日：2019-01-10

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 木本恒畅 ,  小林拓真 ,  中野佑纪 ,  明田正俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置包括：具有1.0×1022cm-3以上的碳密度的SiC半导体层，形成于前述SiC半导体层上、且具有与前述SiC半导体层相接的连接面和位于前述连接面相反侧的非连接面的SiO2层，形成于前述SiO2层的前述连接面的表层部、且碳密度朝向前述SiO2层的前述非连接面递减的碳密度递减区域，以及形成于前述SiO2层的前述非连接面的表层部、且具有1.0×1019cm-3以下的碳密度的低碳密度区域。

公开(公告)号：CN108155087A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201810083012.3

申请日：2013-04-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太 ,  坂入宽之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 公开了一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。

公开(公告)号：CN105247683B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480012210.0

申请日：2014-03-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN104247028B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201380022113.5

申请日：2013-04-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太 ,  坂入宽之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 提供一种能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。