公开(公告)号：CN115552636A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180035113.3

申请日：2021-05-12

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  上野真弥

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 电子部件包含：覆盖对象；电极，其覆盖所述覆盖对象，并在所述覆盖对象之上具有电极侧壁；无机绝缘膜，其具有以使所述电极侧壁露出的方式覆盖所述电极的内覆盖部；以及有机绝缘膜，其覆盖所述电极侧壁。

公开(公告)号：CN112640048A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980054005.3

申请日：2019-08-08

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 上野真弥 ,  中野佑纪 ,  春山沙和 ,  川上泰宏 ,  中泽成哉 ,  久津间保德

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层和多个改质线，上述SiC半导体层包含SiC单晶、且具有作为元件形成面的第一主面、上述第一主面的相反侧的第二主面、以及连接上述第一主面和上述第二主面的多个侧面，多个上述改质线在上述SiC半导体层的各上述侧面各形成1层、分别沿上述SiC半导体层的上述第一主面的切线方向以带状延伸、且被改质为与上述SiC单晶不同的性质。

公开(公告)号：CN112567530A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980053181.5

申请日：2019-08-08

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 川上泰宏 ,  中野佑纪 ,  上野真弥 ,  中泽成哉 ,  春山沙和 ,  久津间保德

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/301 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层、主面绝缘层以及边界改性层，上述SiC半导体层包含SiC单晶，且具有作为设备面的第一主面、上述第一主面的相反一侧的第二主面以及连接上述第一主面和上述第二主面的侧面，上述主面绝缘层包含绝缘材料，被覆上述SiC半导体层的上述第一主面，且具有与上述SiC半导体层的上述侧面相连的绝缘侧面，上述边界改性层包含改性成了与上述SiC单晶不同性质的第一区域和改性成了与上述绝缘材料不同性质的第二区域，且跨越上述SiC半导体层的上述侧面和上述主面绝缘层的上述绝缘侧面而形成。

公开(公告)号：CN110637374A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032670.8

申请日：2018-05-17

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中川让 ,  中野佑纪 ,  明田正俊 ,  上野真弥 ,  森诚悟 ,  山本兼司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的半导体装置包括：第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。

公开(公告)号：CN110637374B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201880032670.8

申请日：2018-05-17

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中川让 ,  中野佑纪 ,  明田正俊 ,  上野真弥 ,  森诚悟 ,  山本兼司

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/80 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50 ,  H10D8/60

Abstract: 本发明的半导体装置包括：第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。

公开(公告)号：CN115699332A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180040234.7

申请日：2021-07-16

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山本兼司 ,  森诚悟 ,  白神弘章 ,  中野佑纪 ,  上野真弥

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

Abstract: SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；沟槽构造，其以从上述连接面露出的方式形成于上述第一面；以及侧壁配线，其以包覆上述连接面的方式形成于上述第二面之上，且与上述沟槽构造电连接。

公开(公告)号：CN112567531A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980054015.7

申请日：2019-08-08

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  上野真弥 ,  春山沙和 ,  川上泰宏 ,  中泽成哉 ,  久津间保德

IPC: H01L29/872 ,  B23K26/53 ,  C30B29/36 ,  H01L21/301 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层，上述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，并且上述SiC半导体层具有面向上述SiC单晶的c面且相对于上述c面具有倾斜的偏角的作为设备面的第一主面、上述第一主面的相反侧的第二主面、以及面向上述SiC单晶的a面且在将上述第一主面的法线设为0°时相对于上述法线具有小于上述偏角的角度的侧面。

公开(公告)号：CN117157769A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280026145.1

申请日：2022-03-16

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 上野真弥 ,  春山沙和 ,  斋藤雅也

IPC: H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置(1)，包含：半导体层(2)；肖特基电极(15)，其形成于所述半导体层(2)的第一面(3)，并在所述肖特基电极与所述半导体层(2)之间形成肖特基结(Sj)，所述肖特基电极(15)具有：第一部分(151)，其在所述肖特基电极(15)的厚度方向上选择性地形成于所述半导体层(2)的所述第一面(3)的附近，并由含有氧的Ti构成。所述肖特基电极(15)可以具有：第二部分(152)，其形成在所述第一部分(151)上，且由Ti和N构成。

公开(公告)号：CN116195034A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180064160.0

申请日：2021-09-03

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 上野真弥

IPC: H01L21/265

Abstract: 半导体装置包括：半导体衬底，其具有主面；半导体层，其形成在所述半导体衬底的所述主面上，且包含与所述半导体衬底的所述主面相接的第一导电型的低浓度层、以及形成在该半导体层中与所述主面相反的一侧的表面的表层部且杂质浓度比所述低浓度层高的第一导电型的高浓度层；以及肖特基电极，其形成在所述半导体层的所述表面上，且与所述高浓度层形成肖特基结。

公开(公告)号：CN115699333A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180042610.6

申请日：2021-07-16

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 森诚悟 ,  山本兼司 ,  白神弘章 ,  中野佑纪 ,  上野真弥

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向以第一深度凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；晶体管构造，其包含具有小于上述第一深度的第二深度的沟槽栅极构造、以及具有超过上述第二深度的第三深度且与上述沟槽栅极构造在一方方向上相邻的沟槽源极构造，并形成于上述第一面的内方部；以及虚拟构造，其包含分别具有上述第三深度且在上述一方方向上相邻的多个虚拟沟槽源极构造，并形成于上述第一面的周缘部。